型号：HH15N2R2B500LT
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：500 V
　　最大连续漏极电流(ID)：15 A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：60 A
　　最大栅源电压(VGS)：±30 V
　　阈值电压(VGS(th))：3.0 V ~ 4.0 V
　　导通电阻(RDS(on))：2.2 Ω @ VGS = 10 V, ID = 7.5 A
　　栅极电荷(Qg)：38 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容(Ciss)：1090 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间(trr)：49 ns
　　工作结温范围(Tj)：-55 °C ~ +150 °C
　　封装类型：PowerDI5060-6L (TOLL)
　　安装方式：表面贴装(SMD)

HH15N2R2B500LT采用先进的沟槽式场效应晶体管结构，具备出色的电气性能和热稳定性。其最显著的特点之一是低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下仅为2.2Ω，这大大减少了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效。这一特性对于高频开关电源尤为重要，因为较低的RDS(on)意味着更少的I2R损耗，有助于降低温升并延长元器件寿命。此外，该器件具有适中的栅极电荷Qg（典型值为38nC），使得驱动电路设计更为简便，并可在保证快速开关的同时避免过高的驱动功耗。这种优化的Qg与RDS(on)折衷关系使其在硬开关和软开关拓扑中均表现出良好的动态响应能力。
　　另一个关键特性是其高达500V的漏源击穿电压，确保了在高压应用环境中的安全运行，例如离线式AC-DC转换器或光伏逆变器中常见的母线电压等级。器件的阈值电压范围为3.0V至4.0V，兼容标准逻辑电平驱动信号，同时也支持10V以上的栅极驱动以实现完全导通。输入电容Ciss为1090pF，在高频操作下有助于控制寄生振荡风险。此外，该MOSFET具备良好的体二极管反向恢复特性，trr为49ns，能够在桥式电路或同步整流应用中减少换向过程中的尖峰电压和电磁干扰问题。
　　从可靠性角度看，HH15N2R2B500LT支持-55°C到+150°C的宽结温工作范围，表明其可在极端温度条件下稳定运行，适用于工业级和户外应用场景。TOLL封装不仅节省PCB空间，还通过底部散热焊盘将热量高效传递至PCB，显著改善热阻性能。相比传统的通孔封装如TO-220，TOLL封装更适合自动化生产流程，提高组装效率和产品一致性。综上所述，HH15N2R2B500LT凭借其低导通损耗、高电压耐受能力和优异的封装热性能，成为现代高效率电源系统中不可或缺的关键元件。

HH15N2R2B500LT主要应用于需要高电压、中等电流及高效率功率切换的各种电力电子系统中。其典型使用场景包括离线式反激变换器、连续导通模式(CCM) PFC升压转换器、LLC谐振半桥/全桥转换器以及隔离型DC-DC电源模块。在这些拓扑结构中，该MOSFET常作为主开关管或同步整流管使用，发挥其低RDS(on)和良好开关特性的优势，显著提升电源的整体转换效率。例如，在服务器电源或通信电源中，它可用于PFC级的升压开关，帮助满足80 PLUS钛金等高效能认证要求。
　　此外，该器件也广泛用于LED恒流驱动电源，尤其是在高亮度LED路灯或工业照明系统中，其500V耐压能力足以应对整流后约300–400V的直流母线电压，而15A的持续电流能力可支持数百瓦级别的输出功率。在太阳能微型逆变器或组串式逆变器的辅助电源部分，HH15N2R2B500LT同样可以胜任启动电源或待机电源中的功率开关角色，确保系统在低光照条件下的可靠启动和运行。
　　工业电机驱动控制板中的低压辅助电源、智能电表电源模块以及家用电器（如空调、洗衣机）的内部SMPS电源也是其常见应用领域。得益于TOLL表面贴装封装的小型化优势，该器件特别适合追求轻薄化和高集成度的产品设计。同时，其良好的热传导性能允许在无额外散热片的情况下实现较高功率密度布局，降低了整体物料成本和装配复杂度。综合来看，HH15N2R2B500LT适用于各类中高端功率转换系统，尤其适合那些注重效率、体积和长期可靠性的应用场合。

IPB046N50C3
　　STP16NF50
　　FQP16N50C
　　HUF75347P3