IXYN38N50 时间：2025/8/6 4:25:37 阅读：24

IXYN38N50 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用 TO-247 封装，具备较高的导通能力和较低的导通电阻，适用于电源转换、电机控制和工业自动化等高要求的电子系统中。IXYN38N50 的设计使其能够在较高的工作电压下提供稳定的性能，同时具备较好的热管理和过载保护能力。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：38A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：500V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.12Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXYN38N50 具有多个关键特性，以确保其在高功率应用中的可靠性与性能。首先，该器件的导通电阻较低，典型值为 0.12Ω，这有助于降低导通损耗并提高能效。其次，其最大漏极-源极电压（VDS）为 500V，能够承受较高的电压应力，适用于各种高压电源电路。
　　此外，IXYN38N50 的最大漏极电流（ID）为 38A，能够在高电流负载下稳定运行，适合用于功率因数校正（PFC）、DC-DC 转换器和逆变器等高功率密度系统。其栅极-源极电压范围为 ±30V，具有较强的抗电压波动能力，防止栅极击穿。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，确保在各种环境条件下都能可靠运行。TO-247 封装提供了良好的散热性能，并支持较高的功率耗散能力，从而延长器件的使用寿命。

应用

IXYN38N50 广泛应用于多个高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器和工业自动化控制系统。其高电压和高电流特性使其成为高效电源转换设备的理想选择，特别是在需要高可靠性和稳定性的工业和通信电源系统中。此外，该器件也可用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中，提供高效的能量转换和稳定的运行性能。