时间：2025/6/18 11:39:40
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HH15N221G500CT是一种高性能的IGBT（绝缘栅双极型晶体管），适用于工业控制、电机驱动和变频器等应用。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降，从而实现了高效能的功率转换和开关性能。
HH15N221G500CT采用了先进的沟槽栅技术和场截止技术，能够显著降低开关损耗并提高可靠性。其封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，适合在高温环境下工作。
集电极-发射极饱和电压：1.8V@150A,220V
最大集电极电流：150A
最大集电极-发射极电压：2200V
最大栅极-发射极电压：±20V
开关频率：高达10kHz
功耗：250W
结温范围：-40℃至150℃
1. 高电流承载能力，适合大功率应用。
2. 超低的导通压降和开关损耗，提高了整体效率。
3. 内置反并联二极管，用于续流保护。
4. 高度可靠的场截止技术，可承受较高的dv/dt应力。
5. 短路耐受时间长达10μs，增强了系统鲁棒性。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
HH15N221G500CT广泛应用于各种工业和消费类电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 大功率逆变器和变频器。
2. 工业电机驱动和伺服系统。
3. 新能源发电设备中的功率转换模块。
4. 不间断电源（UPS）系统。
5. 电动汽车充电装置和车载DC/DC转换器。
6. 各种焊接机和感应加热设备。
FF150R22ME4, IRGB40B120C
