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IRL3705NSTRR 发布时间 时间:2025/7/12 1:07:35 查看 阅读:17

IRL3705NSTRR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沣道开关 MOSFET。这款器件采用逻辑电平驱动设计,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,非常适合用于高效率功率转换、负载切换以及电机驱动等应用。该芯片采用了 TO-263-3 封装形式,能够提供良好的散热性能和电气特性。
  这种 MOSFET 的主要特点是其低导通电阻和出色的电流处理能力,使其成为许多需要高效功率管理的应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:40V
  最大连续漏极电流:38A
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):9mΩ
  栅极电荷:48nC
  总功耗:15W
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263-3

特性

IRL3705NSTRR 提供了低导通电阻以减少传导损耗,这对于提高系统的整体效率非常重要。此外,该器件具备较高的电流承载能力和快速的开关速度,能够在高频操作条件下保持高效的性能表现。
  逻辑电平兼容的设计使得它能够直接与标准逻辑电路配合使用,而无需额外的驱动电路,从而简化了设计并降低了成本。
  其坚固的结构和广泛的温度适应范围确保了在各种恶劣环境下的可靠运行,适用于工业、汽车以及消费电子等多个领域。

应用

该 MOSFET 可广泛应用于直流-直流转换器、负载开关、电池保护电路、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率控制的场景中。由于其出色的电流处理能力和低导通电阻,它特别适合用于大功率系统中以实现更高的能效和更小的热量产生。
  在汽车电子领域,它可以用于启动马达控制、电动窗驱动、座椅调节以及其他车载电子设备中。在工业自动化方面,该器件可用于机器人控制、工厂自动化设备中的电源管理和电机控制等任务。

替代型号

IRL3803PBF, IRLZ44N, FDP5500

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IRL3705NSTRR参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C89A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 46A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs98nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3600pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)