时间：2025/7/25 16:38:32
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IXTJ36N20是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，常用于高功率开关应用。该器件采用了先进的平面技术，具备较低的导通电阻和较高的热稳定性，适用于如电源转换、电机控制和逆变器等应用。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：200V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：36A
导通电阻（RDS(on)）：0.052Ω
功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXTJ36N20的主要特性包括其低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高效率；较高的最大漏源电压允许其在高压应用中使用；栅极驱动电压范围宽，支持更灵活的设计；该MOSFET还具备较高的热稳定性和可靠性，能够在较恶劣的工作环境下运行。此外，其TO-247封装提供了良好的散热性能，适合高功率密度设计。
这款MOSFET还具备快速开关特性，使其在高频开关应用中表现出色。其低输入电容和低栅极电荷有助于减少开关损耗，同时降低驱动电路的复杂性。在短路和过载条件下，IXTJ36N20也能保持良好的稳定性，提高了系统的整体安全性和可靠性。
IXTJ36N20广泛应用于各类功率电子设备中，如DC-DC转换器、电源供应器、逆变器、UPS系统、电机控制和电池管理系统等。此外，它也可用于工业自动化设备、新能源发电系统（如太阳能逆变器）、电动汽车充电设备和家用电器中的高功率开关控制部分。
IXFH36N20P, IXTP36N20N
