类型：NPN型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　增益（hFE）：110-800（取决于工作电流）
　　封装类型：SOT-23

1SV202TR晶体管具有多项优异特性，使其在高频电子电路中表现出色。首先，其最大集电极-发射极电压（VCEO）为50V，这意味着它可以承受较高的电压，适用于多种电源和信号处理电路。其次，最大集电极电流为150mA，足以支持中等功率的开关和放大任务。该晶体管的最大功耗为200mW，在SOT-23封装中具有良好的热管理能力。
　　1SV202TR 的最大工作频率（fT）为100MHz，这使其非常适合用于射频（RF）放大器、振荡器和调制解调电路等高频应用。晶体管的增益（hFE）范围为110至800，具体数值取决于工作电流，这种宽泛的增益范围允许它在不同应用场景中灵活使用。此外，SOT-23封装体积小巧，便于在高密度PCB设计中安装，同时也降低了寄生电容和电感，提升了高频性能。
　　此外，该晶体管具有优良的温度稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作。其低噪声系数和高线性度也使其在音频放大器和通信系统中表现出色。

1SV202TR晶体管广泛应用于各种电子设备和系统中。由于其高频特性，常用于射频（RF）放大器、振荡器和混频器等通信相关电路中。此外，它也可用于音频放大器的前置放大级，以提高信号的增益和稳定性。在数字电路中，1SV202TR 可作为高速开关元件，适用于逻辑电路、驱动电路和电源管理模块。
　　该晶体管还常用于传感器电路，如光电传感器、温度传感器和压力传感器等，用于放大微弱信号并驱动后续电路。同时，由于其良好的温度稳定性和可靠性，1SV202TR 也常用于汽车电子系统、工业控制系统和消费类电子产品中。例如，在无线遥控器、蓝牙模块、Wi-Fi模块和物联网（IoT）设备中，1SV202TR 可作为射频前端放大器或信号处理单元的重要组成部分。

2N3904, BC547, PN2222