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HH15N1R0D500CT 发布时间 时间:2025/6/21 3:04:02 查看 阅读:4

HH15N1R0D500CT 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和功率转换应用。该器件采用 N 沟道技术,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,广泛应用于工业、汽车和消费电子领域。
  HH15N1R0D500CT 的设计使其在高频开关应用中表现出色,同时具备良好的热稳定性和可靠性。这款芯片通常用于电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:1.0mΩ
  栅极电荷:48nC
  总功耗:250W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

HH15N1R0D500CT 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力:额定 500V 漏源电压,适用于高压环境。
  2. 低导通电阻:仅 1.0mΩ,有效降低功率损耗。
  3. 快速开关性能:较小的栅极电荷(48nC)确保了快速开关速度,从而提高效率。
  4. 高电流承载能力:可承受高达 15A 的连续漏极电流。
  5. 宽工作温度范围:从 -55℃ 到 +175℃,适应极端条件下的使用。
  6. 热稳定性好:具备出色的散热性能,能够长时间稳定运行。
  7. 可靠性高:经过严格的质量测试,确保在各种应用场景中的长期可靠性。

应用

HH15N1R0D500CT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于高效能量转换和稳压输出。
  2. 电机驱动:为各类电机提供精确的电流控制和保护功能。
  3. 工业自动化设备:如变频器、伺服控制器等,实现高效的功率管理和控制。
  4. 新能源系统:包括太阳能逆变器、风力发电控制器等,用于能量的高效传输和转换。
  5. 汽车电子:如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)等,满足汽车级的严苛要求。
  6. DC-DC 转换器:实现不同电压等级之间的高效转换,适用于多种便携式设备和嵌入式系统。

替代型号

IRFP460, STP15NF50, FQA15N50C

HH15N1R0D500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.04553卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-