HH15N1R0D500CT 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和功率转换应用。该器件采用 N 沟道技术,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,广泛应用于工业、汽车和消费电子领域。
HH15N1R0D500CT 的设计使其在高频开关应用中表现出色,同时具备良好的热稳定性和可靠性。这款芯片通常用于电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:15A
导通电阻:1.0mΩ
栅极电荷:48nC
总功耗:250W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
HH15N1R0D500CT 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力:额定 500V 漏源电压,适用于高压环境。
2. 低导通电阻:仅 1.0mΩ,有效降低功率损耗。
3. 快速开关性能:较小的栅极电荷(48nC)确保了快速开关速度,从而提高效率。
4. 高电流承载能力:可承受高达 15A 的连续漏极电流。
5. 宽工作温度范围:从 -55℃ 到 +175℃,适应极端条件下的使用。
6. 热稳定性好:具备出色的散热性能,能够长时间稳定运行。
7. 可靠性高:经过严格的质量测试,确保在各种应用场景中的长期可靠性。
HH15N1R0D500CT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于高效能量转换和稳压输出。
2. 电机驱动:为各类电机提供精确的电流控制和保护功能。
3. 工业自动化设备:如变频器、伺服控制器等,实现高效的功率管理和控制。
4. 新能源系统:包括太阳能逆变器、风力发电控制器等,用于能量的高效传输和转换。
5. 汽车电子:如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)等,满足汽车级的严苛要求。
6. DC-DC 转换器:实现不同电压等级之间的高效转换,适用于多种便携式设备和嵌入式系统。
IRFP460, STP15NF50, FQA15N50C