时间：2025/10/30 23:06:17
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17S50APC是一款由Power Integrations公司生产的高压硅基MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，属于其S系列功率开关产品线的一部分。该器件专为中高功率开关模式电源（SMPS）应用设计，广泛用于工业、消费类电子和通信设备中的AC-DC转换器。17S50APC采用先进的平面栅极技术，具备优异的导通电阻与栅极电荷平衡特性，使其在高频开关条件下仍能保持较高的能效。该器件封装在TO-220形式的隔离式封装中，具有良好的热性能和电气绝缘能力，适用于需要安全隔离的高压应用场景。其额定电压为1700V，适合在超高压母线系统中工作，例如太阳能逆变器、高压LED驱动电源以及工业电机控制电路等场合。由于其高击穿电压和可靠的制造工艺，17S50APC能够在恶劣的电气环境中稳定运行，并具备较强的抗雪崩能力和短路耐受性。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子产品制造的需求。
型号：17S50APC
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1700 V
最大漏极电流（Id）：1.7 A
最大功耗（Ptot）：50 W
导通电阻（Rds(on)）：≤ 5.0 Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.0 V 至 6.0 V
输入电容（Ciss）：~ 180 pF @ Vds=25V, Vgs=0V
输出电容（Coss）：~ 35 pF @ Vds=25V, Vgs=0V
反向恢复时间（trr）：不适用（无体二极管或极弱）
工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
封装形式：TO-220AC（隔离型）
17S50APC的核心优势在于其高达1700V的漏源击穿电压，这使得它特别适用于那些需要直接连接到高压直流母线的应用场景，如光伏逆变器中的直流链路开关、高压电容放电电路以及某些类型的谐振变换器拓扑。在如此高的电压等级下，器件仍能维持较低的导通损耗，得益于优化的晶圆结构设计和低掺杂漂移区工艺。该MOSFET具备出色的开关速度，输入电容和反馈电容均经过精心控制，有助于减少驱动电路的能量消耗并降低EMI干扰。由于采用了隔离型TO-220封装，金属片底座与内部芯片之间通过绝缘材料（如陶瓷）实现电气隔离，允许散热片接地而不导致电路短路，从而提升了系统的安全性。
另一个关键特性是其高温稳定性。即使在接近+150°C的工作结温条件下，17S50APC也能保持稳定的电气性能，避免因热失控而导致的失效问题。这种热鲁棒性源于器件内部均匀的电流分布和有效的热量传导路径。此外，该MOSFET对dv/dt和di/dt瞬变具有较强的耐受能力，在快速开关过程中不易发生误触发或局部热点形成。Power Integrations在其数据手册中还强调了该器件经过严格的雪崩能量测试，表明其在过压或负载突变情况下具备一定的自我保护能力。这些综合特性使17S50APC成为高可靠性电源系统中不可或缺的关键组件之一。
17S50APC主要应用于需要处理极高电压且对可靠性要求严苛的电力电子系统中。一个典型用途是在太阳能发电系统中的DC-DC升压或DC-AC逆变电路中作为主开关器件，尤其是在串联多个光伏板产生的高直流电压（如1000V以上）环境下，传统的600V或800V MOSFET已无法满足需求，而17S50APC正好填补了这一空白。此外，该器件也常用于高压LED照明驱动电源，特别是在户外大功率灯具或隧道照明系统中，能够直接接入整流后的高压交流线路，简化电路设计并提高整体效率。
在工业自动化领域，17S50APC可用于高压电容充电与放电控制器、X射线发生器电源模块以及某些特种电源设备中。在这些应用中，器件不仅需要承受瞬间高压冲击，还需具备长时间连续工作的稳定性。同时，由于其封装具备电气隔离功能，因此非常适合安装在需要满足安全认证（如IEC/UL）的设备中。另外，在一些高端UPS不间断电源和电力监测设备中，该MOSFET也可用作主功率开关或旁路控制元件。总之，凡是涉及1500V以上直流电压切换的应用，17S50APC都是一种可靠的选择。
17S50AFC
