时间：2025/6/21 3:03:15
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HH15N101J500CT是一款高性能的N沟道MOSFET功率晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等场景。该器件采用了先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够有效提升系统的效率和可靠性。
HH15N101J500CT以其出色的电气特性和紧凑的封装形式，在工业控制、消费电子以及通信设备等领域得到了广泛应用。
型号：HH15N101J500CT
类型：N沟道MOSFET
Vds（漏源极电压）：100V
Rds(on)（导通电阻）：5mΩ
Id（连续漏极电流）：50A
Vgs（栅源极电压）：±20V
功耗：15W
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
结温：175℃
HH15N101J500CT具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，能够在高电流应用中减少功率损耗。
2. 高速开关性能，支持高频操作，适合现代高效能设计需求。
3. 采用坚固耐用的设计结构，具备较高的抗静电能力(ESD防护)。
4. 支持宽广的工作温度范围，适应各种恶劣环境下的使用。
5. 紧凑型封装便于安装，同时提供良好的散热性能。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，适用于对环保要求严格的项目。
HH15N101J500CT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中的功率开关元件。
2. 工业电机驱动和伺服系统中的功率控制元件。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的关键组件。
4. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、显示器电源等。
5. 电动车和混合动力汽车中的电池管理系统及驱动模块。
6. 其他需要高效能功率管理的应用场景。
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