E45N50 时间：2025/7/23 13:34:07 阅读：4

E45N50是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要设计用于高功率和高效率的开关应用。该器件采用了先进的平面技术，具有优异的导通电阻和高电流能力，适用于电源转换、电机控制和逆变器等应用场景。E45N50的封装形式通常为TO-247或TO-220，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：45A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.16Ω
　　最大功耗（Pd）：200W
　　栅极电压（Vgs）：±30V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247

特性

E45N50 MOSFET具备多项优异特性，包括低导通电阻（Rds(on)）以减少导通损耗，提高系统效率；高电流能力使其能够承受较大的负载电流；500V的高耐压能力适合高压应用环境。
　　E45N50还具有良好的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定工作。其TO-247封装形式有助于快速散热，延长器件寿命。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持灵活的驱动电路设计，适用于各种功率变换器和开关电源应用。
　　该器件还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。E45N50在设计上优化了短路和过载保护能力，提高了系统稳定性与安全性。

应用

E45N50广泛应用于各类高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和不间断电源（UPS）系统。它也常用于工业控制、新能源发电（如太阳能逆变器）、电动车充电设备以及家用电器中的高功率开关电路。
　　在电源管理系统中，E45N50可作为主开关元件，实现高效的能量转换和控制。在电机控制应用中，它能够提供稳定的高电流输出，确保电机平稳运行。由于其高耐压和高电流能力，E45N50也适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。