时间：2025/8/25 5:46:00
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HGTP7N60B3是一款高电压、高电流的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。这款MOSFET采用TO-247封装形式，具有良好的热性能和机械稳定性。HGTP7N60B3主要设计用于高边开关、电源转换器以及电机控制等应用，能够承受较高的漏极-源极电压（VDS）和连续漏极电流（ID）。由于其高性能特性，HGTP7N60B3在工业控制、电力电子设备以及新能源系统中得到了广泛应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(VDS)：600V
连续漏极电流(ID)：7A（在Tc=25℃时）
脉冲漏极电流(IDM)：28A
栅极-源极电压(VGS)：±30V
工作温度范围：-55℃至150℃
导通电阻(RDS(on))：约1.1Ω（最大值，典型值可能更低）
封装形式：TO-247
功耗(PD)：50W（最大值）
HGTP7N60B3具有多项优异的电气和热性能，使其在各种高功率应用中表现出色。首先，其高漏极-源极电压（600V）和较高的连续漏极电流（7A）使其能够处理较大的功率负载。其次，该MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，HGTP7N60B3具备较高的热稳定性，能够在较高温度下稳定工作，适用于散热条件较为苛刻的应用场景。其TO-247封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了机械强度，提高了器件的可靠性。此外，该MOSFET的栅极驱动电路设计较为简单，易于与其他控制电路集成，从而简化了整体电路设计。HGTP7N60B3还具有快速开关能力，适用于高频开关应用，能够有效减少开关损耗并提高系统的响应速度。
此外，HGTP7N60B3具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在异常工况下保持稳定运行，防止器件损坏。这种特性使其在需要高可靠性和稳定性的工业和电力电子系统中尤为适用。
HGTP7N60B3广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高电压和高电流处理能力的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器以及电机驱动电路。此外，该MOSFET还可用于逆变器系统、UPS（不间断电源）设备、照明控制系统以及工业自动化设备中的功率开关模块。在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，HGTP7N60B3也可作为关键的功率控制元件，提供高效、稳定的电力转换和管理功能。
IRF740、FQP7N60C、STP7NK60Z、SGT7N60HD
