晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50V
　　最大基极电流（Ib）：5mA
　　耗散功率（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

DTA113ZLT1晶体管具有多个显著特性，使其在数字电路和开关应用中表现出色。
　　首先，该晶体管内置基极-发射极电阻，简化了外围电路设计，减少了PCB布局的复杂度，同时提高了电路的稳定性。这种集成设计特别适用于需要简化电路结构的数字开关应用。
　　其次，该晶体管的电流增益（hFE）范围宽广，从110到800，具体取决于等级划分，这使得设计者可以根据不同应用场景选择合适的增益等级，以优化电路性能。
　　此外，DTA113ZLT1具有较高的耐压能力，集电极-发射极电压最大可达50V，这使其适用于多种中低压控制电路。其SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于自动化生产和表面贴装工艺，适合现代电子产品的高密度组装需求。
　　最后，该晶体管的工作温度范围较宽，可在-55°C至+150°C之间稳定工作，适应各种严苛环境下的应用需求。

DTA113ZLT1晶体管广泛应用于多个领域。在数字电路中，它常用于逻辑控制和信号切换，作为开关元件使用。例如，在微控制器外围电路中，它可用于驱动LED、继电器或小型电机等负载。
　　在消费电子产品中，DTA113ZLT1可用于各类便携设备的电源管理电路，实现高效能和低功耗的设计目标。
　　在工业控制领域，该晶体管可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的输入/输出接口电路，实现对外部设备的控制和信号处理。
　　此外，该晶体管还可用于通信设备中的信号放大和开关控制，确保设备的稳定运行。
　　由于其SOT-23封装的小巧尺寸，DTA113ZLT1也常用于空间受限的便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。

2N3904, BC847, 2N2222