时间：2025/9/11 14:45:17
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KTC3531T-RTK/P是一款N沟道增强型功率MOSFET，由KEXIN（科信）公司生产。该器件设计用于高频率、高效率的开关应用，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，适合在电源管理、DC-DC转换器以及电机控制等场景中使用。KTC3531T-RTK/P采用TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的热性能和较高的可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大30mΩ（在VGS=10V时）
漏极功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
KTC3531T-RTK/P具有优异的电性能和热性能，适用于高效率的功率转换系统。其导通电阻低至30mΩ，有助于降低导通损耗并提高系统效率。该MOSFET具备较高的电流承载能力，最大漏极电流可达60A，适用于大功率应用。此外，KTC3531T-RTK/P的开关速度快，能够支持高频开关操作，减少开关损耗，适用于开关电源（SMPS）、同步整流器和DC-DC转换器等高频应用场合。其TO-252封装提供了良好的散热性能，确保在高功率工作条件下的稳定性。KTC3531T-RTK/P还具有较高的可靠性和耐用性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行，适合工业控制、汽车电子和消费类电子设备中使用。
KTC3531T-RTK/P广泛应用于各类电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、LED驱动器以及工业自动化控制系统等。其高效率和快速开关特性使其在高频电源转换器中表现出色，同时也能用于需要高电流承载能力的电机控制和功率调节电路中。此外，该器件还可用于汽车电子系统中的电源管理模块，提供稳定高效的功率控制能力。
IRFZ44N, STP60NF06, FDP6030L, TK3531K
