H9TKNNN4KDMPQR-NDM 是由SK Hynix(海力士)推出的一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片采用了先进的制造工艺,具有较大的存储容量和较快的数据存取速度,适用于高性能计算、服务器、网络设备和嵌入式系统等对内存性能要求较高的应用场景。该芯片的封装形式为BGA(球栅阵列封装),具有良好的电气性能和热稳定性。
存储容量:4Gb(512MB)
数据宽度:x16
电压:1.8V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:BGA
封装尺寸:93 balls
时钟频率:最高可达250MHz
数据速率:500Mbps
CAS延迟:5/6/7/8/9/10/11/12/13/14可配置
tRC(行周期时间):10ns
tRC_min(最小行周期时间):10ns
tAA(地址访问时间):5.4ns
tRC_max(最大行周期时间):无限制
H9TKNNN4KDMPQR-NDM 采用先进的DRAM技术,具备优异的性能和可靠性。其主要特性包括:高存储密度,适合需要大容量内存的应用;低功耗设计,在1.8V的工作电压下运行,有助于降低系统整体功耗;支持多种CAS延迟配置,提供了更灵活的系统设计选择;具备宽温度范围(-40°C 至 +85°C),适用于工业级和汽车级应用环境;支持高速数据传输,数据速率可达500Mbps,满足高性能系统对内存带宽的需求;采用BGA封装,提供良好的电气连接和散热性能,确保在高负载环境下稳定工作;此外,该芯片还支持多种刷新模式(如自动刷新和自刷新),以适应不同的功耗管理需求,提升系统的能效表现。
在功能上,H9TKNNN4KDMPQR-NDM 提供了完整的DRAM控制接口,支持标准的DRAM命令集,如行激活、列读写、预充电等,确保与主流内存控制器的兼容性。它还具备错误检测和纠正能力(ECC支持),在关键任务系统中提供更高的数据完整性和系统稳定性。同时,该芯片还支持温度传感器功能,可实时监控芯片的工作温度,进一步提升系统的热管理能力。
H9TKNNN4KDMPQR-NDM 广泛应用于需要高性能内存的电子设备和系统中。例如,在服务器和数据中心中,该芯片可作为高速缓存或主内存使用,提升系统的数据处理能力和响应速度;在工业自动化设备中,该芯片为PLC、工业计算机等设备提供稳定的内存支持;在网络通信设备(如路由器、交换机)中,H9TKNNN4KDMPQR-NDM 可用于缓存和转发数据包,提升网络性能;在嵌入式系统中,该芯片可作为主控芯片的外部存储器,为图像处理、视频监控、车载电子等应用提供强大的内存支持;此外,该芯片还可用于消费类电子产品,如高端智能手机、平板电脑、游戏机等,提升设备的运行速度和多任务处理能力。
H9TPNNL8GDMPQR-NDM, H9TNNN88GDMPQR-NDM