时间：2025/9/2 9:46:23
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H9TKNNN4KDMPQR-NDM 是由SK Hynix（海力士）推出的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片采用了先进的制造工艺，具有较大的存储容量和较快的数据存取速度，适用于高性能计算、服务器、网络设备和嵌入式系统等对内存性能要求较高的应用场景。该芯片的封装形式为BGA（球栅阵列封装），具有良好的电气性能和热稳定性。
存储容量：4Gb（512MB）
数据宽度：x16
电压：1.8V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：BGA
封装尺寸：93 balls
时钟频率：最高可达250MHz
数据速率：500Mbps
CAS延迟：5/6/7/8/9/10/11/12/13/14可配置
tRC（行周期时间）：10ns
tRC_min（最小行周期时间）：10ns
tAA（地址访问时间）：5.4ns
tRC_max（最大行周期时间）：无限制
H9TKNNN4KDMPQR-NDM 采用先进的DRAM技术，具备优异的性能和可靠性。其主要特性包括：高存储密度，适合需要大容量内存的应用；低功耗设计，在1.8V的工作电压下运行，有助于降低系统整体功耗；支持多种CAS延迟配置，提供了更灵活的系统设计选择；具备宽温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于工业级和汽车级应用环境；支持高速数据传输，数据速率可达500Mbps，满足高性能系统对内存带宽的需求；采用BGA封装，提供良好的电气连接和散热性能，确保在高负载环境下稳定工作；此外，该芯片还支持多种刷新模式（如自动刷新和自刷新），以适应不同的功耗管理需求，提升系统的能效表现。
在功能上，H9TKNNN4KDMPQR-NDM 提供了完整的DRAM控制接口，支持标准的DRAM命令集，如行激活、列读写、预充电等，确保与主流内存控制器的兼容性。它还具备错误检测和纠正能力（ECC支持），在关键任务系统中提供更高的数据完整性和系统稳定性。同时，该芯片还支持温度传感器功能，可实时监控芯片的工作温度，进一步提升系统的热管理能力。
H9TKNNN4KDMPQR-NDM 广泛应用于需要高性能内存的电子设备和系统中。例如，在服务器和数据中心中，该芯片可作为高速缓存或主内存使用，提升系统的数据处理能力和响应速度；在工业自动化设备中，该芯片为PLC、工业计算机等设备提供稳定的内存支持；在网络通信设备（如路由器、交换机）中，H9TKNNN4KDMPQR-NDM 可用于缓存和转发数据包，提升网络性能；在嵌入式系统中，该芯片可作为主控芯片的外部存储器，为图像处理、视频监控、车载电子等应用提供强大的内存支持；此外，该芯片还可用于消费类电子产品，如高端智能手机、平板电脑、游戏机等，提升设备的运行速度和多任务处理能力。
H9TPNNL8GDMPQR-NDM, H9TNNN88GDMPQR-NDM
