时间：2025/4/29 9:46:33
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HGTP3N60A4是一种N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和较高的电流处理能力。
其封装形式为TO-220，能够有效地进行散热管理，广泛应用于各种工业和消费类电子设备中。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：3.5A
导通电阻（典型值）：4.5Ω
栅极-源极电压：±20V
功耗：105W
工作温度范围：-55℃至+150℃
HGTP3N60A4具有高击穿电压、低导通电阻以及快速开关速度的特点。这些特性使其非常适合用于需要高效率和可靠性的场合。
此外，该器件还具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在严苛的工作条件下保持性能。
由于其封装设计合理，能够方便地集成到各种电路系统中，并且易于安装和维护。
该MOSFET常用于开关电源、直流电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)、电磁阀驱动等场景。
在开关电源中，它可以用作主开关管或同步整流管；在电机控制领域，它可以实现高效的PWM调制功能。
另外，在一些要求小型化但又需要较大功率输出的应用中也非常适用。
IRF840, STP17N60C
