AM29PL160CB-90REI是AMD(现为Spansion,后并入Cypress Semiconductor)推出的一款高性能、低功耗的16兆位(Mbit)CMOS 3V闪存芯片,属于Am29LV系列的并行NOR Flash存储器产品线。该器件采用先进的MirrorBit? 技术制造,提供非易失性数据存储,适用于需要高可靠性和快速读取性能的应用场景。其总容量为16 Mbit(即2 MB),组织结构为2,048,000字(word),每个字为8位或16位可配置,通过外部引脚控制数据总线宽度。AM29PL160CB-90REI支持标准的CE#(Chip Enable)、OE#(Output Enable)和WE#(Write Enable)控制信号,兼容通用的微处理器和微控制器接口,适合嵌入式系统中的代码存储与执行(XIP, Execute-In-Place)。该芯片采用48引脚TSOP封装(Thin Small Outline Package),工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适用于严苛环境下的应用。此外,该器件支持快速读取访问时间,典型值为90纳秒,满足高速系统对即时响应的需求。内置的命令集支持页编程、块擦除、整片擦除以及写保护功能,提升了数据管理的灵活性和安全性。AM29PL160CB-90REI还具备高级电源管理模式,包括自动休眠模式和待机模式,有效降低系统功耗,延长电池寿命,特别适用于便携式设备和低功耗设计。
型号:AM29PL160CB-90REI
制造商:AMD / Spansion / Cypress
存储类型:NOR Flash
电压:2.7V 至 3.6V
容量:16 Mbit (2 MB)
组织结构:1,048,576 x 16-bit 或 2,097,152 x 8-bit
访问时间:90 ns
封装类型:48-pin TSOP
工作温度:-40°C 至 +85°C
接口类型:并行
编程电压:内部电荷泵生成
写保护:软件写保护、硬件WP#引脚
擦除方式:扇区擦除、整片擦除
编程方式:页编程(32字或16字)
总线宽度:可配置 x8/x16
AM29PL160CB-90REI采用MirrorBit? 技术,这是一种创新的双比特存储单元技术,能够在单个物理存储单元中存储两个独立的数据位,显著提升存储密度而不增加芯片面积。这项技术通过在氮化物层中不对称地捕获电子来实现两位存储,从而提高单位面积的存储效率,并增强数据保持能力。该器件支持快速随机读取访问时间,典型值为90ns,允许处理器直接从Flash中执行代码,减少对外部RAM的依赖,优化系统成本和启动速度。其命令集完全兼容JEDEC标准,支持常见的读/写/擦除操作,并可通过软件指令实现扇区级别的擦除和编程,便于固件更新和数据管理。该芯片具备多级写保护机制,包括Vpp高压检测、软件锁定位和硬件写保护引脚(WP#),有效防止意外写入或擦除,保障关键代码和数据的安全。
为了提升系统可靠性,AM29PL160CB-90REI集成了上电复位(Power-On Reset)电路和内部状态轮询机制,确保在电源不稳定时不会发生误操作。它还支持异步页编程功能,在编程一个页面的同时可以响应读取请求,提高了整体系统效率。器件具备高耐久性,典型擦写次数可达10万次以上,数据保存时间超过20年,适用于长期运行的工业和通信设备。此外,该芯片支持低功耗模式,在待机状态下电流消耗极低,适合电池供电的应用场景。所有操作均通过内部电荷泵完成,无需外部高压编程电源,简化了系统设计。丰富的封装选项和工业级温度范围使其广泛应用于路由器、交换机、工业控制、医疗设备和消费类电子产品中。
AM29PL160CB-90REI广泛应用于需要可靠、快速非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括网络通信设备如路由器、交换机和DSL调制解调器,用于存储启动代码(Bootloader)、操作系统映像和配置数据。在工业控制系统中,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和远程终端单元(RTU),提供稳定的程序存储和实时执行能力。汽车电子领域中,它适用于仪表盘模块、车载信息娱乐系统和车身控制模块,满足汽车级可靠性和温度要求(需确认具体版本是否符合AEC-Q100标准)。在医疗设备中,如便携式监护仪和诊断仪器,其高数据保持性和写保护功能确保了关键医疗数据的安全性和完整性。消费类电子产品如打印机、机顶盒和智能家居控制器也常采用此类NOR Flash进行固件存储。由于支持XIP(就地执行)模式,该芯片非常适合需要快速启动和低延迟响应的应用。此外,其并行接口提供了较高的数据吞吐率,适用于对性能有较高要求的中低端嵌入式平台。开发人员可利用其标准接口和成熟的编程算法,轻松集成到现有系统中,并借助厂商提供的编程器和调试工具进行快速原型开发和批量生产。
S29PL160J-90_15