类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：190A（在 Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 2.0mΩ（在 Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：300W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装类型：TO-247
　　技术：沟槽栅极技术

SPN020190TX 采用先进的沟槽栅极设计，这使得其在高功率密度和低导通损耗方面表现出色。其导通电阻（Rds(on)）低于 2.0mΩ，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统的效率。此外，该 MOSFET 具备较高的电流承载能力，额定漏极电流高达 190A，适用于大功率应用。
　　该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，确保了稳定的栅极控制和较低的开关损耗。其 TO-247 封装形式具备良好的热管理能力，有助于在高负载条件下维持较低的工作温度，从而提升器件的可靠性和寿命。
　　SPN020190TX 的工作温度范围为 -55℃ 至 +175℃，适用于恶劣环境条件下的工业和汽车应用。此外，该器件还具备较强的抗雪崩能力和短路耐受能力，提高了其在极端工作条件下的稳定性。

SPN020190TX 常用于高功率密度的电源转换系统，如 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统（如电动助力转向系统 EPS 和 48V 轻混系统）。此外，该 MOSFET 还广泛应用于服务器电源、工业自动化设备、不间断电源（UPS）和储能系统等领域。

SPN020190TX 的替代型号包括：SiHF190N20D、FQA190N20、IPW90R020C20A