工作电压：1.8V ±0.15V
　　存储容量：144Mb（8M x 18位结构）
　　访问时间：400ps（典型值）
　　最大时钟频率：500MHz
　　数据速率：1000Mbps（DDR接口）
　　I/O标准：SSTL_18
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　封装类型：165-ball BGA
　　引脚间距：0.8mm
　　存储组织方式：双端口，独立地址/数据总线
　　读写操作：支持同步突发读写
　　时钟模式：双时钟（K 和 K#）用于源同步数据传输

CY7C1570V18-400BZXC具备卓越的高速性能与低功耗特性，是QDR? II+ SRAM系列中的高端型号之一。其核心架构基于真正的双端口设计，允许两个独立的主机或处理器同时访问存储阵列而无需仲裁，极大地提升了系统的并行处理能力和数据吞吐效率。每个端口都配备了独立的地址、数据和控制线路，支持完全独立的操作，包括同时进行读写任务。器件采用源同步时钟机制，通过K/K#差分时钟对实现精确的数据捕获，确保在高频下仍能维持稳定的信号完整性。其DDR接口可在每个时钟周期内完成两次数据传输，显著提高带宽利用率。此外，该芯片内置可编程驱动强度和片上终端电阻（ODT），有助于减少外部匹配元件数量，优化PCB设计复杂度。为了适应不同应用场景的需求，CY7C1570V18-400BZXC还提供了灵活的突发长度配置选项，如突发长度为2或4，支持线性和交错模式，增强了系统设计的灵活性。所有输入输出引脚均兼容SSTL_18电平标准，保证了与其他高速逻辑器件的良好互操作性。在可靠性方面，该器件经过严格的制造流程控制，具备高抗干扰能力和长期运行稳定性，满足工业级和通信级产品的质量要求。其BGA封装不仅节省空间，而且通过均匀分布的电源和地线球，有效降低噪声和串扰，提升整体信号质量。
　　为了进一步增强系统可用性，该SRAM支持部分写功能（Partial Write），允许仅更新数据字中的特定字节，从而减少不必要的数据重写，提升能效。此外，它还集成了高级功耗管理功能，例如待机模式和深度掉电模式，在系统空闲时可大幅降低静态电流消耗。这种智能电源管理策略使其非常适合部署在注重能效比的数据中心和边缘计算设备中。器件还具备出色的热性能表现，能够在较高环境温度下持续稳定运行，无需额外散热措施即可满足大多数应用场景需求。所有关键参数均在出厂前经过严格测试和校准，确保批次间的一致性和长期供货的可靠性。总体而言，CY7C1570V18-400BZXC凭借其高性能、高可靠性和高度集成化的设计，成为现代高速数据通路系统中不可或缺的核心存储组件。

该器件主要应用于需要极高带宽和超低延迟的通信与网络基础设施中，典型使用场景包括核心路由器、多层交换机、光传输设备、无线基站（如5G NR基站）、网络接口卡（NIC）以及高性能计算平台中的数据缓冲区。由于其双端口架构支持两个独立系统或处理器的同时访问，因此特别适合用于构建共享内存系统，例如在交换架构中作为查找表缓存、队列管理单元或报文缓冲池。此外，该芯片也广泛用于测试与测量仪器、雷达信号处理系统、视频流媒体服务器以及其他对实时性要求极高的嵌入式系统中。在这些应用中，CY7C1570V18-400BZXC能够提供稳定且高效的数据存取服务，保障系统整体性能达到最优水平。其低电压特性和节能模式也使其适用于绿色数据中心和便携式高端设备中的高速缓存模块设计。

CY7C1560V18-333BZXC
　　CY7C1571V18-450BZI