时间：2025/9/1 18:44:53
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H9DA4GH4JJAMCR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度NAND闪存芯片。该芯片属于4G x 8位的NAND闪存产品，广泛应用于需要大容量存储的电子设备中，如智能手机、固态硬盘（SSD）、嵌入式存储系统等。该芯片采用小型封装，具备低功耗和高可靠性的特点，适合现代便携式设备对空间和能效的严格要求。
存储类型：NAND闪存
容量：4G x 8位
封装类型：TSOP
接口：8位并行接口
工作电压：2.7V - 3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
擦写周期：10万次
数据保持时间：10年
H9DA4GH4JJAMCR 具备多项突出的性能特点。首先，它采用8位并行接口设计，能够提供较高的数据传输速率，适用于需要快速读写的应用场景。其次，该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V，支持宽电压工作，增强了其在不同系统中的兼容性。此外，其擦写周期可达10万次，确保了较长的使用寿命。在数据保持方面，即使在恶劣的环境条件下，数据也可保持长达10年，可靠性极高。该芯片还支持页编程和块擦除功能，提高了存储管理的灵活性和效率。
在封装方面，H9DA4GH4JJAMCR 采用TSOP（薄型小外形封装），体积小巧，适合嵌入式应用和高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在各种工业级环境下稳定运行。此外，该芯片内置错误检测和纠正机制，可有效提升数据完整性，减少数据丢失的风险。
H9DA4GH4JJAMCR 主要应用于对存储容量和可靠性要求较高的电子产品中。在消费电子领域，它广泛用于智能手机、平板电脑和数字相机，用于存储操作系统、应用程序及用户数据。在工业控制领域，该芯片可作为嵌入式系统的主存储器，支持工业自动化设备、医疗仪器和智能终端的运行。此外，在汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统和行车记录仪，该芯片也发挥着重要作用。由于其低功耗特性，H9DA4GH4JJAMCR 也非常适合电池供电设备，有助于延长设备的续航时间。
H9DA4GH4JHDMCR, H9DA4GH4JJAMCD, H9DA4GH4JHA
