HGTP3N60A4(3N60A4)是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于高电压、高功率的应用中。该MOSFET具有高耐压和低导通电阻的特性,适用于开关电源、电机控制、照明驱动器等场合。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏极-源极击穿电压(Vds):600V
栅极-源极击穿电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):3A
漏极功耗(Pd):40W
工作温度范围:-55°C至150°C
导通电阻(Rds(on)):约2.5Ω(最大)
封装类型:TO-220
HGTP3N60A4具有较高的耐压能力,适用于600V的高压电路环境,确保在高电压下稳定运行。
该器件具备较低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高效率。
采用TO-220封装形式,具备良好的散热性能,适用于中高功率应用场景。
内置快速恢复二极管,适用于需要快速开关的场合。
具有较高的可靠性和较长的使用寿命,适用于工业级和消费类电子产品。
此外,该MOSFET具备较高的抗雪崩能力,适用于高能量脉冲环境,如电机启动和感性负载切换。
HGTP3N60A4常用于开关电源(SMPS)设计中,作为主开关器件,能够承受高电压和一定的电流负荷。
在电机控制电路中,它可用于驱动小型直流电机或步进电机,实现高效的PWM控制。
在LED照明驱动器中,该MOSFET可用于恒流控制电路,提高系统效率和稳定性。
它还适用于AC-DC转换器、电池充电器、逆变器以及各种高电压开关电路。
此外,在家电和工业设备中,该器件被广泛用于继电器替代方案,实现更长的寿命和更低的功耗。
STP3NA60FZ, IRFBC30, FQP3N60C