时间：2025/8/24 19:16:28
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HGTP3N60A4（3N60A4）是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高电压、高功率的应用中。该MOSFET具有高耐压和低导通电阻的特性，适用于开关电源、电机控制、照明驱动器等场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极-源极击穿电压（Vds）：600V
栅极-源极击穿电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：3A
漏极功耗（Pd）：40W
工作温度范围：-55°C至150°C
导通电阻（Rds(on)）：约2.5Ω（最大）
封装类型：TO-220
HGTP3N60A4具有较高的耐压能力，适用于600V的高压电路环境，确保在高电压下稳定运行。
该器件具备较低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。
采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适用于中高功率应用场景。
内置快速恢复二极管，适用于需要快速开关的场合。
具有较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于工业级和消费类电子产品。
此外，该MOSFET具备较高的抗雪崩能力，适用于高能量脉冲环境，如电机启动和感性负载切换。
HGTP3N60A4常用于开关电源（SMPS）设计中，作为主开关器件，能够承受高电压和一定的电流负荷。
在电机控制电路中，它可用于驱动小型直流电机或步进电机，实现高效的PWM控制。
在LED照明驱动器中，该MOSFET可用于恒流控制电路，提高系统效率和稳定性。
它还适用于AC-DC转换器、电池充电器、逆变器以及各种高电压开关电路。
此外，在家电和工业设备中，该器件被广泛用于继电器替代方案，实现更长的寿命和更低的功耗。
STP3NA60FZ, IRFBC30, FQP3N60C
