时间：2025/12/29 15:01:03
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HGTP10N50E1D 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的高电压、高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的非穿通（Non-punch-through）技术，提供卓越的性能和可靠性。它具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，使其在高功率应用中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：0.52Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4V（范围：2V至4V）
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
HGTP10N50E1D 的核心特性之一是其优异的导通性能和快速的开关特性。其低导通电阻（Rds(on)）使得在导通状态下损耗更低，提高了系统的整体效率。此外，该器件采用了先进的非穿通技术，可以有效防止在高电压下发生穿通现象，从而增强了器件的稳定性和寿命。
该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在较高温度下正常工作，适用于严苛的工业环境。它的封装设计（TO-220）不仅便于安装和散热，还能提供良好的电气隔离性能。TO-220封装通常带有金属散热片，能够有效降低热阻，提高器件的热传导效率。
HGTP10N50E1D 还具备出色的抗雪崩击穿能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击，而不会发生永久性损坏。这一特性使其非常适合用于电机驱动、电源转换和工业控制等需要高可靠性的应用场景。
HGTP10N50E1D 广泛应用于各种电力电子系统，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC converters）、电机驱动器、电池充电器和工业自动化设备。其高电压和高电流能力使其特别适合用于需要高效能和高稳定性的功率转换电路。
在消费电子领域，该器件可用于高性能电源管理模块，例如台式机和服务器的电源供应器。在工业领域，HGTP10N50E1D 可用于可编程逻辑控制器（PLC）、变频器以及工业机器人控制系统。
此外，该MOSFET也常用于照明系统（如LED驱动器）和新能源领域（如太阳能逆变器），以实现高效能的能量转换。由于其具备良好的动态性能和高可靠性，HGTP10N50E1D 也被广泛应用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的功率管理系统中。
STP10NK50Z, IRFP460, FQA10N50, FDPF10N50
