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K9LBG08U0M-PCB0 发布时间 时间:2025/5/26 11:39:57 查看 阅读:12

K9LBG08U0M-PCB0是三星(Samsung)生产的一款NAND闪存芯片,采用MLC(多层单元)技术,主要应用于需要大容量存储的设备中。该型号支持ONFI(开放NAND闪存接口)标准,具有较高的读写速度和可靠性,广泛用于固态硬盘(SSD)、嵌入式存储设备以及消费类电子产品中。

参数

容量:8GB
  接口:ONFI 2.3
  工作电压:1.8V/3.3V
  封装形式:TSOP
  页大小:4KB
  块大小:512KB
  通道数:8
  数据传输速率:200MB/s

特性

K9LBG08U0M-PCB0采用了先进的MLC NAND闪存技术,具备以下特点:
  1. 高密度存储:通过多层单元结构实现更高的存储密度。
  2. 快速读写性能:支持ONFI 2.3标准,提供高达200MB/s的数据传输速率。
  3. 可靠性高:内置ECC(错误检查与纠正)功能,确保数据的完整性。
  4. 低功耗设计:优化的工作电压设置,降低整体功耗。
  5. 耐用性强:经过严格的测试流程,能够承受多次擦写循环。

应用

该芯片适用于多种存储解决方案,包括但不限于:
  1. 固态硬盘(SSD)
  2. 嵌入式存储模块
  3. 工业级存储卡
  4. 消费类电子设备,如平板电脑、智能手机等
  5. 数据记录设备,如行车记录仪、监控摄像头

替代型号

K9LBG08U1M-PCK0
  K9LBG08U1M-PCA0
  K9LBG08U5M-PCE0

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