K9LBG08U0M-PCB0是三星(Samsung)生产的一款NAND闪存芯片,采用MLC(多层单元)技术,主要应用于需要大容量存储的设备中。该型号支持ONFI(开放NAND闪存接口)标准,具有较高的读写速度和可靠性,广泛用于固态硬盘(SSD)、嵌入式存储设备以及消费类电子产品中。
容量:8GB
接口:ONFI 2.3
工作电压:1.8V/3.3V
封装形式:TSOP
页大小:4KB
块大小:512KB
通道数:8
数据传输速率:200MB/s
K9LBG08U0M-PCB0采用了先进的MLC NAND闪存技术,具备以下特点:
1. 高密度存储:通过多层单元结构实现更高的存储密度。
2. 快速读写性能:支持ONFI 2.3标准,提供高达200MB/s的数据传输速率。
3. 可靠性高:内置ECC(错误检查与纠正)功能,确保数据的完整性。
4. 低功耗设计:优化的工作电压设置,降低整体功耗。
5. 耐用性强:经过严格的测试流程,能够承受多次擦写循环。
该芯片适用于多种存储解决方案,包括但不限于:
1. 固态硬盘(SSD)
2. 嵌入式存储模块
3. 工业级存储卡
4. 消费类电子设备,如平板电脑、智能手机等
5. 数据记录设备,如行车记录仪、监控摄像头
K9LBG08U1M-PCK0
K9LBG08U1M-PCA0
K9LBG08U5M-PCE0