时间：2025/5/26 11:39:57
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K9LBG08U0M-PCB0是三星（Samsung）生产的一款NAND闪存芯片，采用MLC（多层单元）技术，主要应用于需要大容量存储的设备中。该型号支持ONFI（开放NAND闪存接口）标准，具有较高的读写速度和可靠性，广泛用于固态硬盘（SSD）、嵌入式存储设备以及消费类电子产品中。
容量：8GB
接口：ONFI 2.3
工作电压：1.8V/3.3V
封装形式：TSOP
页大小：4KB
块大小：512KB
通道数：8
数据传输速率：200MB/s
K9LBG08U0M-PCB0采用了先进的MLC NAND闪存技术，具备以下特点：
1. 高密度存储：通过多层单元结构实现更高的存储密度。
2. 快速读写性能：支持ONFI 2.3标准，提供高达200MB/s的数据传输速率。
3. 可靠性高：内置ECC（错误检查与纠正）功能，确保数据的完整性。
4. 低功耗设计：优化的工作电压设置，降低整体功耗。
5. 耐用性强：经过严格的测试流程，能够承受多次擦写循环。
该芯片适用于多种存储解决方案，包括但不限于：
1. 固态硬盘（SSD）
2. 嵌入式存储模块
3. 工业级存储卡
4. 消费类电子设备，如平板电脑、智能手机等
5. 数据记录设备，如行车记录仪、监控摄像头
K9LBG08U1M-PCK0
K9LBG08U1M-PCA0
K9LBG08U5M-PCE0
