时间：2025/6/14 17:33:10
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MTP10N10E是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其主要特点是低导通电阻（Rds(on)）、高击穿电压（BVDSS）和快速开关性能。该器件采用TO-252/DPAK封装形式，能够提供较高的电流处理能力和良好的散热性能。
作为一种功率场效应晶体管，MTP10N10E通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的导通状态，从而实现对电路中电流的开关或调节作用。
最大漏源电压：100V
最大漏极电流：10A
导通电阻：0.18Ω（典型值，@Vgs=10V）
栅极电荷：23nC（典型值）
总功耗：1.3W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252/DPAK
MTP10N10E具有以下关键特性：
1. 高击穿电压（100V），确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻（0.18Ω），有助于降低功率损耗并提高效率。
3. 快速开关能力，适合高频应用场合。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. 小型DPAK封装，便于PCB布局并提供优异的散热性能。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品需求。
MTP10N10E适用于多种电力电子领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. DC-DC转换器中的降压或升压开关。
3. 电机驱动中的H桥或半桥电路。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 充电器和适配器中的功率管理元件。
6. 照明系统中的LED驱动电路。
MTP10N10,
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