类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：6.5A
　　最大漏源电压 (Vds)：30V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 27mΩ @ Vgs = 10V
　　导通阈值电压 (Vgs(th))：1.0V 至 2.5V
　　功率耗散 (Pd)：3.3W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TSMT6

SGA1263Z 功率 MOSFET 具备出色的导电性能，其最大导通电阻仅为 27mΩ，能够在高电流条件下显著降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），确保了在各种应用场景下的稳定工作。
　　SGA1263Z 的导通阈值电压范围为 1.0V 至 2.5V，使得其适用于多种控制电路，包括低压微控制器驱动。其低导通电阻和低阈值电压特性相结合，使其在低电压应用中表现出色。
　　该器件的封装形式为 TSMT6，属于表面贴装技术（SMT）封装，具有较小的尺寸和良好的散热性能，非常适合用于高密度 PCB 设计。同时，其最大漏极电流可达 6.5A，能够支持较高功率的应用需求。
　　SGA1263Z 的最大漏源电压为 30V，适用于多种中低压电源管理应用。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，具备良好的热稳定性，适合在苛刻的环境条件下运行。

SGA1263Z 主要应用于电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及各种类型的电源适配器和稳压模块。由于其具备低导通电阻、高电流承载能力和小型封装，SGA1263Z 特别适合用于需要高效率和高集成度的便携式电子设备，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等。
　　在 DC-DC 转换器中，SGA1263Z 可用于高边或低边开关，以提高转换效率并减少发热。其高速开关特性也使其适用于 PWM（脉宽调制）控制的电源系统。
　　在电池管理系统中，SGA1263Z 可作为负载开关，用于控制电池与负载之间的连接。其低导通电阻可以减少能量损耗，延长电池使用时间。
　　此外，SGA1263Z 还可用于电机驱动电路、LED 照明调光系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。

Si2302DS, AO3400, FDS6675, IRF7404