时间：2025/5/29 11:19:20
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HGTP10N120BN是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频和高功率应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，适合用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件，能够有效降低传导损耗并提高系统效率。其封装形式通常为TO-247或TO-220，便于散热管理。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：10A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：65nC
总电容：320pF
工作温度范围：-55℃至175℃
HGTP10N120BN的主要特性包括：
1. 高耐压能力，最大漏源电压可达1200V，适合高压应用场景。
2. 低导通电阻设计，有助于减少导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关速度，栅极电荷较低，可实现高效的开关操作。
4. 良好的热稳定性，可在极端温度条件下正常工作。
5. 强大的电流处理能力，连续漏极电流达到10A，满足大功率需求。
6. 兼容性良好，易于与其他电路元件集成。
HGTP10N120BN广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 太阳能逆变器的核心功率开关组件。
3. 工业设备中的电机驱动控制。
4. 电动汽车充电装置的功率调节单元。
5. 不间断电源（UPS）系统中的关键功率器件。
6. 各类高频功率变换器和电子负载。
IRG4PC30KD
FDP18N120
STW97N12MD2
