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HGTP10N120BN 发布时间 时间:2025/5/29 11:19:20 查看 阅读:11

HGTP10N120BN是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频和高功率应用。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,适合用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,能够有效降低传导损耗并提高系统效率。其封装形式通常为TO-247或TO-220,便于散热管理。

参数

最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:150mΩ
  栅极电荷:65nC
  总电容:320pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

HGTP10N120BN的主要特性包括:
  1. 高耐压能力,最大漏源电压可达1200V,适合高压应用场景。
  2. 低导通电阻设计,有助于减少导通状态下的功率损耗。
  3. 快速开关速度,栅极电荷较低,可实现高效的开关操作。
  4. 良好的热稳定性,可在极端温度条件下正常工作。
  5. 强大的电流处理能力,连续漏极电流达到10A,满足大功率需求。
  6. 兼容性良好,易于与其他电路元件集成。

应用

HGTP10N120BN广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 太阳能逆变器的核心功率开关组件。
  3. 工业设备中的电机驱动控制。
  4. 电动汽车充电装置的功率调节单元。
  5. 不间断电源(UPS)系统中的关键功率器件。
  6. 各类高频功率变换器和电子负载。

替代型号

IRG4PC30KD
  FDP18N120
  STW97N12MD2

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HGTP10N120BN参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装400
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,10A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)35A
  • 功率 - 最大298W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称HGTP10N120BN-NDHGTP10N120BNFS