FDC6432SH-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 SO-8FL 封装。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,适用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率转换的应用场景。
这款 MOSFET 在高频开关应用中表现出色,能够显著降低传导损耗和开关损耗,从而提升整体系统效率。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:17A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
栅极电荷:15nC
总电容(Ciss):1240pF
开关频率:支持高达 1MHz
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:SO-8FL
FDC6432SH-NL 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以有效降低功耗,提高效率。
2. 高额定电流能力使其适合于大功率应用。
3. 快速开关速度减少了开关损耗,非常适合高频电路设计。
4. 优化的热性能有助于在高功率密度环境下维持稳定运行。
5. 宽泛的工作温度范围使得该器件可以在恶劣环境中可靠工作。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子系统中。
该芯片广泛应用于各种电力电子领域,例如:
1. 开关模式电源 (SMPS),如 DC-DC 转换器。
2. 电机控制与驱动,包括无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
5. LED 照明驱动器。
6. 汽车电子系统中的功率管理模块。
FDC6432SHE_NL, FDS8940, IRF7846TRPBF