时间：2025/6/13 19:25:47
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HGTG30N60B3D 是一款基于 MOSFET 技术的功率晶体管，属于 N 沱型垂直功率 MOSFET 系列。该器件专为高电压、大电流应用而设计，具有较低的导通电阻和良好的开关性能。其封装形式通常为 TO-247 或类似的大功率封装，能够有效散热以适应严苛的工作环境。
HGTG30N60B3D 在工业控制、电源转换器、电机驱动等场景中表现出色，广泛应用于各种电力电子设备中。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：150mΩ
栅极电荷：85nC
总电容（输入电容）：1250pF
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
HGTG30N60B3D 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（600V），适用于高压环境下的电力电子设备。
2. 较低的导通电阻（150mΩ 典型值），可以减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关性能，适合高频应用。
4. 强大的过载能力，能够在短时间内承受更高的电流冲击。
5. 良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
6. 封装设计优化，具备优异的散热性能。
HGTG30N60B3D 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和逆变器。
3. 太阳能逆变器中的功率管理模块。
4. 电动车辆的牵引逆变器。
5. 各类电磁阀和继电器驱动电路。
6. 高压负载切换和保护电路。
HGTG30N60B3L, IRFP460, STP30NF60
