KIC7W32FK-RTK/P 是一款由 KEC(高荣精密株式会社)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于电源管理和功率转换电路中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关和马达驱动电路等。KIC7W32FK-RTK/P 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适合需要高效能和高可靠性的应用场合。该器件采用 TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热性能和较高的功率密度。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):120A
最大脉冲漏极电流(Idm):480A
最大功耗(Pd):100W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
导通电阻(Rds(on)):@Vgs=10V 时为 3.2mΩ,@Vgs=4.5V 时为 4.8mΩ
KIC7W32FK-RTK/P 具有多个关键特性,使其在高性能功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。在 Vgs=10V 时,Rds(on) 仅为 3.2mΩ,而在 Vgs=4.5V 时为 4.8mΩ,适用于低电压驱动电路。此外,该器件支持高达 120A 的连续漏极电流,具备出色的电流承载能力,适合高功率密度设计。
其次,KIC7W32FK-RTK/P 采用先进的沟槽式 MOSFET 结构,优化了电场分布,降低了导通电阻并提高了器件的可靠性。其快速开关特性有助于减少开关损耗,提升整体系统效率,适用于高频开关应用。
再者,该 MOSFET 在 TO-252(DPAK)封装下具备良好的热性能,可有效散热,延长器件使用寿命。封装设计也便于 PCB 布局和自动化组装,适用于大批量生产。最后,其 ±20V 的栅极电压耐受能力确保了在各种工作条件下栅极驱动的稳定性,避免因电压波动而损坏器件。
KIC7W32FK-RTK/P 主要应用于高效率功率转换和电源管理系统。常见用途包括开关电源(SMPS)、同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)以及马达驱动器等。在服务器电源、电信设备、工业自动化和汽车电子系统中,该 MOSFET 可作为主功率开关或同步整流元件,提供高效能和高可靠性的解决方案。
此外,KIC7W32FK-RTK/P 也可用于高电流负载控制,如高亮度 LED 驱动、电源管理 IC(PMIC)的外围开关元件以及各种需要大电流和低导通损耗的电路设计。由于其优异的热性能和高频响应能力,该器件在高频电源转换器和高效能适配器中也得到了广泛应用。
Si7461DP-T1-GE3, IPB013N04NGATMA1, FDS6680, IRF1010E, STP120N3LLH5