KIC7W32FK-RTK/P 时间：2025/9/12 11:44:23 阅读：7

KIC7W32FK-RTK/P 是一款由 KEC（高荣精密株式会社）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于电源管理和功率转换电路中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关和马达驱动电路等。KIC7W32FK-RTK/P 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合需要高效能和高可靠性的应用场合。该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能和较高的功率密度。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：120A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：480A
　　最大功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V 时为 3.2mΩ，@Vgs=4.5V 时为 4.8mΩ

特性

KIC7W32FK-RTK/P 具有多个关键特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 仅为 3.2mΩ，而在 Vgs=4.5V 时为 4.8mΩ，适用于低电压驱动电路。此外，该器件支持高达 120A 的连续漏极电流，具备出色的电流承载能力，适合高功率密度设计。
　　其次，KIC7W32FK-RTK/P 采用先进的沟槽式 MOSFET 结构，优化了电场分布，降低了导通电阻并提高了器件的可靠性。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提升整体系统效率，适用于高频开关应用。
　　再者，该 MOSFET 在 TO-252（DPAK）封装下具备良好的热性能，可有效散热，延长器件使用寿命。封装设计也便于 PCB 布局和自动化组装，适用于大批量生产。最后，其 ±20V 的栅极电压耐受能力确保了在各种工作条件下栅极驱动的稳定性，避免因电压波动而损坏器件。

应用

KIC7W32FK-RTK/P 主要应用于高效率功率转换和电源管理系统。常见用途包括开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及马达驱动器等。在服务器电源、电信设备、工业自动化和汽车电子系统中，该 MOSFET 可作为主功率开关或同步整流元件，提供高效能和高可靠性的解决方案。
　　此外，KIC7W32FK-RTK/P 也可用于高电流负载控制，如高亮度 LED 驱动、电源管理 IC（PMIC）的外围开关元件以及各种需要大电流和低导通损耗的电路设计。由于其优异的热性能和高频响应能力，该器件在高频电源转换器和高效能适配器中也得到了广泛应用。