HGTG30N120D2 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高电压、高电流功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于需要高效能功率控制的电路设计。该器件采用 D2-PAK 封装,具有优良的热性能和功率处理能力,适用于工业电机控制、电源转换、逆变器和功率因数校正等应用。
类型:N-Channel MOSFET
漏源电压(Vds):1200V
连续漏极电流(Id):30A(Tc=25°C)
脉冲漏极电流(Idm):120A
栅源电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装:D2-PAK
导通电阻(Rds(on)):典型值为 1.25Ω(最大值1.45Ω)
功率耗散(Pd):250W
漏源击穿电压(BVDSS):1200V
HGTG30N120D2 具有以下显著特性:
1. 高电压和大电流能力:1200V 的漏源电压额定值和 30A 的连续漏极电流使其适用于高功率应用场景。
2. 低导通电阻:典型的 Rds(on) 为 1.25Ω,有助于降低导通损耗,提高整体效率。
3. 优异的热管理性能:D2-PAK 封装设计具有良好的散热能力,支持在高温环境下稳定运行。
4. 耐受高能脉冲:可承受高达 120A 的脉冲漏极电流,适合需要瞬间高功率的应用场景。
5. 高可靠性:符合工业级温度范围(-55°C 至 +150°C),适用于各种恶劣工作环境。
6. 易于并联使用:低 Rds(on) 和良好的热性能使其在并联设计中表现优异。
7. 优化的封装设计:D2-PAK 封装便于安装和焊接,同时支持表面贴装工艺,适合自动化生产。
8. 安全性和耐用性:具备过热保护和过流保护能力,适用于长期运行的工业设备。
HGTG30N120D2 主要应用于以下领域:
1. 工业电机驱动和逆变器:适用于高功率电机控制,提供稳定的功率输出。
2. 电源转换系统:包括开关电源(SMPS)、DC-AC 逆变器和功率因数校正(PFC)电路。
3. 新能源设备:如太阳能逆变器和风能转换系统,需要高电压和大电流的 MOSFET 控制。
4. 电动汽车充电设备:用于充电桩的功率转换和管理模块。
5. 工业自动化设备:适用于需要高可靠性和高效率的自动化控制电路。
6. 高压电源模块:为需要 1200V 级别电压控制的设备提供关键功率开关元件。
7. 家用电器:如高效能变频空调、电磁炉等家用电器的功率控制部分。
STW34NB20, IXFH30N120, FGL40N120, HGTG30N120D