时间：2025/3/26 8:41:22
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KMN5W000ZM-B207 是一款高性能的 MOSFET 功率器件，专为高效率功率转换应用而设计。该型号采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功耗并提高系统性能。其主要应用于电源管理、电机驱动以及消费类电子设备等领域。
型号：KMN5W000ZM-B207
类型：N-Channel MOSFET
工作电压(Vds)：50V
连续漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：0.5mΩ
栅极电荷(Qg)：45nC
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
KMN5W000ZM-B207 的主要特点是其超低的导通电阻，仅为 0.5mΩ，这使得它在大电流应用中表现优异，同时降低了功率损耗。
此外，该器件还具备出色的热稳定性，在极端温度条件下依然可以保持稳定的性能。
快速开关能力使其非常适合高频开关电源应用，同时内置的 ESD 保护功能增强了器件的可靠性。
通过优化的芯片设计，该型号还大幅减少了寄生电感的影响，从而提升了整体系统的效率。
KMN5W000ZM-B207 广泛用于各种高功率密度的场景中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源(SMPS)
- 电机驱动器
- 太阳能逆变器
- 工业自动化设备
- 消费类电子产品中的负载切换
- 数据中心及通信电源解决方案
KMN5W000ZM-B208
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IRF3205
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