时间：2025/5/21 13:15:06
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HGTG11N120CND 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压、高效率开关应用。这款器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于功率转换、电机驱动以及逆变器等场景。
该 MOSFET 的最大漏源极电压为 1200V，能够承受高电压环境下的工作需求。同时，它还具备优秀的热性能和可靠性，能够在各种工业及汽车级应用场景中稳定运行。
最大漏源极电压：1200V
最大连续漏电流：11A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：1.3Ω
总栅极电荷：65nC
输入电容：1450pF
功耗：27W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高电压耐受能力：支持高达 1200V 的漏源极电压，适合高压电路设计。
2. 低导通电阻：在高电流条件下提供更低的损耗，提高系统效率。
3. 快速开关能力：较小的栅极电荷使得开关速度更快，有助于减少开关损耗。
4. 高可靠性：经过严格测试，可在极端温度范围内可靠工作。
5. 小封装设计：紧凑的外形尺寸节省了 PCB 空间，便于布局优化。
6. 符合 RoHS 标准：环保材料确保符合国际法规要求。
1. 功率转换：如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动：包括无刷直流电机（BLDC）和步进电机控制。
3. 太阳能逆变器：
4. 开关电源（SMPS）：
5. 工业自动化设备中的高压开关。
6. 电动车和混合动力车的牵引逆变器。
7. 充电器和其他需要高电压开关的应用场景。
HGTG12N120CND, IRG4PC20UD, FCH09N120B
