类型：MOSFET
　　封装：TO-247
　　最大漏源电压(V_DS)：1200V
　　最大栅源电压(V_GS)：±20V
　　最大漏极电流(I_D)：25A
　　导通电阻(R_DS(on))：0.18Ω
　　功率耗散(PD)：330W
　　工作温度范围(T_j)：-55℃ to +150℃
　　总电荷(Q_g)：90nC
　　栅极阈值电压(Vth)：4V

HGK3DB681KG2BW 具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力：该器件支持高达 1200V 的漏源电压，适合高压应用场景。
　　2. 低导通电阻：R_DS(on) 仅为 0.18Ω，在大电流条件下可以减少导通损耗。
　　3. 快速开关性能：由于总栅极电荷较低（90nC），该器件具有较快的开关速度，从而减少了开关损耗。
　　4. 高电流承载能力：支持高达 25A 的连续漏极电流，确保在重负载下的稳定运行。
　　5. 热性能优异：采用 TO-247 封装，具备良好的散热能力，能够承受较高的功率耗散。
　　6. 可靠性高：该器件设计用于恶劣的工作环境，能够在 -55℃ 到 +150℃ 的温度范围内正常工作。
　　7. 电气隔离：通过优化的绝缘设计，提供了更高的电气隔离性能，增强了系统安全性。

HGK3DB681KG2BW 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS)：用于高效能 AC-DC 和 DC-DC 转换电路中，提升转换效率。
　　2. 电机驱动：用于工业自动化设备中的电机控制器，提供精确的电流控制。
　　3. 逆变器：应用于太阳能逆变器和不间断电源 (UPS)，实现高效的能量转换。
　　4. 汽车电子：用于电动汽车或混合动力汽车中的电力管理系统。
　　5. 工业设备：如焊接机、激光切割设备等，需要高功率输出的场合。
　　6. LED 照明：用于高亮度 LED 照明系统的驱动电路，以保证稳定性和高效性。

HGT2DB681KG2BW, 2KV681K-EU, IRFP260N