时间：2025/7/1 3:42:02
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IPB45P03P4L-11是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TRENCHSTOP?技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于要求高效能和高可靠性的应用中。其封装形式为TO-Leadless (TOLL)，有助于提高散热性能并减少寄生电感，非常适合于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：45A
导通电阻（典型值）：0.8mΩ
栅极电荷（典型值）：76nC
开关频率范围：高达1MHz
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-Leadless (TOLL)
结温：175℃
IPB45P03P4L-11采用了先进的TRENCHSTOP? IGBT技术，提供非常低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低传导损耗，提高了系统的整体效率。
此外，其优化的栅极电荷设计使得开关损耗最小化，并支持高频操作，这使其非常适合于高性能开关模式电源（SMPS）和工业应用。
由于使用了无引脚的TO-Leadless (TOLL)封装，该器件拥有出色的热性能和电气性能，同时减小了安装空间，满足现代电子设备对紧凑设计的需求。
另外，IPB45P03P4L-11还具有较高的雪崩能力和鲁棒性，确保在恶劣环境下的稳定运行。
这款MOSFET主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、太阳能逆变器、电机驱动电路、不间断电源（UPS）、负载开关以及各种工业自动化设备中。其卓越的性能特别适合需要高效能量转换和快速开关的应用场景。
IPW40R039C6, IRFB4110TRPBF
