IPB45P03P4L-11是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TRENCHSTOP?技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于要求高效能和高可靠性的应用中。其封装形式为TO-Leadless (TOLL),有助于提高散热性能并减少寄生电感,非常适合于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:45A
导通电阻(典型值):0.8mΩ
栅极电荷(典型值):76nC
开关频率范围:高达1MHz
工作温度范围:-55℃至175℃
封装类型:TO-Leadless (TOLL)
结温:175℃
IPB45P03P4L-11采用了先进的TRENCHSTOP? IGBT技术,提供非常低的导通电阻(Rds(on)),从而显著降低传导损耗,提高了系统的整体效率。
此外,其优化的栅极电荷设计使得开关损耗最小化,并支持高频操作,这使其非常适合于高性能开关模式电源(SMPS)和工业应用。
由于使用了无引脚的TO-Leadless (TOLL)封装,该器件拥有出色的热性能和电气性能,同时减小了安装空间,满足现代电子设备对紧凑设计的需求。
另外,IPB45P03P4L-11还具有较高的雪崩能力和鲁棒性,确保在恶劣环境下的稳定运行。
这款MOSFET主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、太阳能逆变器、电机驱动电路、不间断电源(UPS)、负载开关以及各种工业自动化设备中。其卓越的性能特别适合需要高效能量转换和快速开关的应用场景。
IPW40R039C6, IRFB4110TRPBF