类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：19A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.26Ω @ Vgs=10V
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　功率耗散（Pd）：83W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220F

HG62G019R50F 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用了先进的沟槽式栅极技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而提高了导电效率并减少了功率损耗。其导通电阻在Vgs=10V时仅为0.26Ω，使得在高电流工作条件下仍能保持较低的压降和发热。
　　该器件的最大漏源电压为500V，可承受较高的电压应力，适用于多种高电压应用场景。最大漏极电流为19A，具备较强的电流承载能力。此外，其栅极电压范围为±20V，确保了器件在各种驱动条件下的稳定工作。
　　为了提高热稳定性和可靠性，HG62G019R50F采用了TO-220F封装形式，具备良好的散热性能，适合在高温环境下运行。该封装也便于安装在散热片上，以进一步增强其散热能力。
　　该MOSFET具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统整体效率。同时，其内部结构设计优化了短路和过热保护能力，提高了器件在恶劣工况下的可靠性。

HG62G019R50F 主要用于需要高电压和中等电流处理能力的电力电子设备中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统等。
　　此外，该器件也适用于照明控制系统、充电器、UPS（不间断电源）和家电控制模块等应用领域。由于其具备较高的电压耐受能力和良好的导通性能，HG62G019R50F 在各类功率开关电路中表现出色，是许多中高功率电子系统中的理想选择。

STP19NM50N, FQA19N50C, FDPF19N50