HFMBF207 时间：2025/8/13 11:23:20 阅读：6

HFMBF207是一款由Hefei Core Semiconductor（合肥芯半导体）制造的功率MOSFET器件，主要设计用于高频功率转换和电源管理应用。这款器件基于先进的沟槽型MOSFET技术，提供了优异的导通性能和开关特性，适用于诸如DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统以及工业电源设备等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：120A
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为3.2mΩ（在VGS=10V时）
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

HFMBF207具备多项高性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率，这对高功率密度应用尤为重要。
　　其次，该器件采用TO-263表面贴装封装，不仅提供了良好的散热性能，还支持自动化生产流程，适用于现代电子制造环境。
　　此外，HFMBF207具有高栅极绝缘强度，能够承受高达±20V的栅源电压，这使其在高噪声环境中仍能保持稳定工作，减少了误触发的风险。
　　该器件还具备良好的热稳定性，能够在高达175°C的结温下工作，确保了在高温环境下的可靠运行。
　　最后，HFMBF207的高频开关特性降低了开关损耗，有助于提升电源转换效率并减小磁性元件的尺寸。

应用

HFMBF207广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于同步整流DC-DC降压转换器、服务器电源模块和电池充电器等设计中。
　　在电机控制和驱动电路中，HFMBF207可用于高性能H桥电机驱动器，提供高电流输出能力和快速响应。
　　此外，该器件适用于工业自动化设备中的功率开关模块，例如变频器和伺服驱动器。
　　在新能源领域，HFMBF207也用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换环节，其高效率和高可靠性使其成为这些应用的理想选择。
　　汽车电子方面，HFMBF207可用于车载充电器（OBC）和电动助力转向系统（EPS）等关键电路中。