型号：UMK063CG3R6CT-F
　　制造商：Murata
　　封装尺寸：0201（0603公制）
　　电容值：3.6pF
　　容差：±0.05pF
　　额定电压：25V DC
　　介质材料：C0G（NP0）
　　温度系数：0±30ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　绝缘电阻：≥50GΩ 或 R×C ≥ 1000S（取较大值）
　　耐湿性：符合IEC 60068-2-30标准
　　端子电极：镍阻挡层 + 锡镀层（无铅兼容）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

UMK063CG3R6CT-F的核心优势在于其采用C0G（也称为NP0）类电介质材料，这种材料具有极其稳定的介电常数，几乎不受温度、电压和频率变化的影响。在-55°C到+125°C的宽温度区间内，电容值的变化不超过±30ppm/°C，这意味着在整个工作范围内电容漂移极小，能够维持精确的阻抗匹配和滤波特性，尤其适用于对相位稳定性和频率响应精度有严格要求的应用场景，如无线收发器中的LC谐振回路、天线调谐网络和高频振荡电路。该电容器还展现出卓越的频率响应能力，在高达数GHz的频率下仍能保持较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而有效减少能量损耗并提升电路效率。得益于村田独有的超细陶瓷粉末分散技术和多层共烧工艺，产品实现了在0201微型封装下的高可靠性和一致性，层间结合紧密，抗热冲击能力强，能够在回流焊过程中承受多次高温循环而不发生裂纹或分层。此外，其端电极采用双层结构设计，内层为镍阻挡层防止银迁移，外层为锡镀层以增强可焊性，符合RoHS环保标准，并支持自动化贴片生产流程。该器件还具备良好的抗机械应力性能，减少因PCB弯曲或热膨胀不均导致的开裂风险，显著提高整机良率和长期运行稳定性。
　　在电气性能方面，UMK063CG3R6CT-F拥有较高的绝缘电阻（典型值大于50GΩ）和极低的介质吸收率，使其在采样保持电路和高精度定时应用中表现出色。同时，由于C0G介质不具备铁电性，因此不会出现滞后效应或电压依赖性电容下降现象，保证了信号传输的线性度和保真度。对于高速数字系统中的局部去耦应用，尽管其电容值较小，但在高频段仍能提供有效的噪声旁路路径，有助于抑制电源轨上的高频纹波。整体而言，这款MLCC凭借其微型化、高稳定性、高可靠性和环保兼容性，成为现代高频和高密度电子系统中不可或缺的基础元件之一。

UMK063CG3R6CT-F主要应用于对尺寸和性能均有严苛要求的高频电子系统中。其最典型的使用场景是各类无线通信设备中的射频匹配与滤波电路，例如智能手机、平板电脑、物联网模块、Wi-Fi/BT组合芯片模组以及5G射频前端单元。在这些应用中，它常被用于构建LC谐振网络，实现阻抗变换、带通滤波或陷波功能，确保天线与发射链路之间的最大功率传输。此外，在高速数据转换器（ADC/DAC）的时钟路径中，该电容器可用于构建高Q值的选频网络，提升时钟信号的纯净度和相位噪声性能。在精密测量仪器、医疗电子设备及航空航天电子系统中，由于需要长时间保持电路参数不变，该器件的温度稳定性优势得以充分发挥，常用于参考振荡器、锁相环（PLL）滤波器和传感器信号调理电路中。在便携式消费电子产品中，如智能手表、TWS耳机和AR/VR头显设备，其0201的小型化封装可以节省宝贵的PCB空间，同时不影响高频性能。另外，该电容器也可作为高速数字IC（如FPGA、ASIC）的局部高频去耦元件，配合大容量陶瓷电容形成多级滤波网络，有效滤除开关噪声并稳定核心供电电压。由于其无磁性和低损耗特性，还可用于MRI设备、射频识别（RFID）读写器和雷达系统等对电磁兼容性要求极高的工业与军事领域。

GRM0335C1H3R6FA01D
　　CC0201-3R6J-25V-C0G