类型：IGBT 模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：400 V
　　额定集电极电流（IC）：200 A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：模块式封装（如绝缘底板或双面散热）
　　短路耐受能力：有
　　栅极驱动电压：±15 V（典型）
　　导通压降（VCE_sat）：约 2.1 V（典型值）
　　最大工作频率：10 kHz（建议值）
　　热阻（Rth）：根据散热条件不同而变化
　　绝缘耐压等级：符合 IEC 60950 标准

HFE200-400 具备一系列先进的电气和热性能特性。其 IGBT 芯片采用了优化设计的沟槽栅结构，能够显著降低导通压降并提升开关速度。此外，模块内部集成了快速恢复二极管，以支持高频操作和高效率的功率转换。
　　该模块还具备良好的热管理能力，能够有效传导和分散热量，确保长时间运行的稳定性和可靠性。模块外壳采用高绝缘材料，能够承受高电压隔离要求，并具备优异的机械强度和耐腐蚀性。
　　在短路和过载条件下，HFE200-400 也表现出较强的耐受能力，适用于工业环境中的高可靠性应用。此外，模块支持双面散热设计，可以进一步提高散热效率，从而提升整体系统的性能。

HFE200-400 常用于需要高功率密度和高效率的工业设备中。典型应用包括交流电机驱动器、伺服驱动器、变频器、不间断电源（UPS）、电焊机、感应加热设备以及太阳能逆变器等。由于其高耐压和大电流能力，该模块也非常适合用于电动汽车充电设备和工业自动化控制系统。

HFE200-400 可以被富士电机的其他类似 IGBT 模块替代，例如 HFE200-600 或 HFE300-400，具体取决于应用中的电压和电流需求。其他厂商的替代品可能包括英飞凌（Infineon）的 FF200R12KT4 或三菱电机（Mitsubishi Electric）的 CM200DY-24A 等，但需要根据具体电路和封装要求进行适配。