时间：2025/9/14 16:31:26
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PSMN4R3-40MLHX是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高效能功率转换与管理应用中。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具备低导通电阻、高耐压特性，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统以及电机控制等场景。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：140A（在Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：4.3mΩ（最大值）
功耗（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN4R3-40MLHX具有多项优异的电气与物理特性。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流工作状态下实现最小的功率损耗，从而提高系统效率。该MOSFET采用了Nexperia的LFPAK56封装技术，具有出色的热性能和机械稳定性，适用于高功率密度设计。此外，该器件的封装设计支持双面散热，有助于进一步提升热管理能力。
该器件的栅极结构具备良好的抗静电能力，并支持宽范围的栅极驱动电压（通常为4.5V至20V），兼容多种控制电路。其在高温环境下的稳定性也表现出色，能够在极端条件下维持可靠工作。此外，PSMN4R3-40MLHX还具备快速开关能力，适用于高频开关应用，如同步整流和DC-DC转换器等。
该MOSFET在制造过程中采用了符合RoHS标准的环保材料，满足现代电子产品对无铅和绿色环保的要求。
PSMN4R3-40MLHX适用于多种高功率和高效率需求的应用场景。常见的应用包括服务器电源、电信设备电源、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。由于其出色的导通性能和热管理能力，该器件也常用于多相电源设计和高电流负载管理场合。
在汽车电子领域，PSMN4R3-40MLHX可用于车载充电系统、电动助力转向（EPS）控制器、车载信息娱乐系统电源管理模块等。此外，该MOSFET也适用于光伏逆变器、储能系统以及不间断电源（UPS）等新能源相关应用。
PSMN5R2-40MLH, PSMN5R2-40YLDC, PSMN4R5-40MLH
