类型：肖特基二极管
　　技术：碳化硅（SiC）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V
　　最大直流阻断电压（VR）：600V
　　平均整流电流（IF(AV)）：35A
　　正向压降（VF）：典型值1.7V @ 35A, 25°C
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：350A @ 8.3ms 半正弦波
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +185°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +185°C
　　热阻结到壳（RθJC）：约1.2°C/W
　　封装：TO-247-2L

HFA35HB60CSCV的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性所带来的卓越性能表现。碳化硅具有比硅更高的临界击穿电场强度和热导率，这使得该器件能够在高电压下实现低导通损耗和优异的散热能力。其最显著的特性之一是零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这意味着在从导通状态切换到截止状态时不会产生反向恢复电流尖峰，从而极大减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这一特性在高频开关应用中尤为重要，能够显著提升电源系统的转换效率并降低对滤波元件的要求。此外，由于没有反向恢复行为，该二极管与MOSFET或IGBT配合使用时可减少器件应力，延长使用寿命。
　　该器件的正向压降（VF）在全电流范围内保持较低且稳定的水平，即使在高温环境下也表现出良好的热稳定性。相比传统硅快恢复二极管，HFA35HB60CSCV在高温下的VF漂移更小，确保了长期运行的可靠性。其高达185°C的最大工作结温允许系统在恶劣热环境中持续运行，减少了对外部冷却系统的依赖，有助于实现紧凑型设计。TO-247-2L封装不仅提供了优良的电气绝缘和机械强度，还具备低寄生电感和高爬电距离，适合高压应用场景。该封装支持螺钉固定或夹具安装，便于集成到各种散热结构中。
　　另一个关键特性是其出色的抗浪涌能力，峰值非重复浪涌电流可达350A，能够在短时过载或启动冲击条件下安全运行，提升了系统的鲁棒性。器件还具备高dv/dt耐受能力，避免因快速电压变化导致误导通。此外，HFA35HB60CSCV具有极低的漏电流，在高温和高电压条件下仍能保持良好的阻断性能，进一步降低了待机功耗。这些综合特性使其在新能源发电、电动汽车充电、工业电源等领域展现出明显的性能优势。

HFA35HB60CSCV广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。在太阳能光伏逆变器中，它常用于直流侧升压电路中的续流或钳位二极管，利用其零反向恢复特性减少开关损耗，提高整体能效。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，该器件可用于PFC（功率因数校正）级和DC-DC变换器中，帮助实现高功率密度和高效能量转换。在工业电机驱动和变频器中，HFA35HB60CSCV作为续流二极管与IGBT模块配合使用，有效抑制反电动势并提升动态响应性能。此外，在不间断电源（UPS）和服务器电源等高端开关电源（SMPS）系统中，该二极管用于输出整流或有源钳位电路，有助于提升转换效率并满足严苛的能效标准如80 PLUS Titanium。其高温工作能力也使其适用于密闭空间或自然冷却条件下的电源设计。在铁路牵引系统和储能系统中，HFA35HB60CSCV凭借其高可靠性和抗浪涌能力，能够在极端工况下稳定运行，保障系统安全。随着碳化硅技术的普及，该器件正逐步替代传统硅基超快恢复二极管，推动电力电子系统向更高效率、更小体积和更轻重量方向发展。

FFSH3065A