时间：2025/4/30 14:58:20
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FDN342P-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOT-23 封装。它广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域中的开关电路和负载驱动等场景。该器件以其低导通电阻和快速开关速度著称，能够显著提高效率并减少功耗。
FDN342P-NL 的设计使得其能够在低电压条件下提供出色的性能，适用于便携式设备和其他对能效要求较高的应用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
持续漏极电流：410mA
导通电阻（典型值）：1.5Ω
栅极电荷：7nC
开关时间：典型开启时间 12ns，典型关断时间 9ns
结温范围：-55℃ 至 +150℃
1. 超低导通电阻：在低电压下表现出色，减少功率损耗。
2. 快速开关性能：栅极电荷小，支持高频开关应用。
3. 小尺寸封装：SOT-23 封装节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。
4. 高可靠性：具备良好的热稳定性和电气性能。
5. 低静态电流：有助于延长电池供电设备的使用寿命。
6. 可承受高浪涌电流：增强了器件在瞬态条件下的稳定性。
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电池供电设备的负载开关。
3. 手机、平板电脑和其他便携式电子产品的电源管理。
4. LED 驱动器和背光控制。
5. 数据通信接口保护。
6. 各种低功率电机驱动和信号切换。
FDN340P, FDN343P, BSS138
