2SJ410是一款P沟道场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用TO-92封装,适合用于低电压、低电流的开关应用,具备良好的热稳定性和快速开关特性。
类型:P沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):-30V
最大栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):-100mA
功耗(PD):300mW
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-92
2SJ410具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。其P沟道结构使其在负电压下工作,适用于低压开关电路和信号控制应用。此外,该器件具备较高的可靠性和耐用性,能够在较宽的温度范围内稳定运行。
该晶体管的栅极控制电压较低,便于与标准逻辑电平兼容,适合用于低功耗设计。TO-92封装提供了良好的散热性能,适合在空间受限的电路板中使用。
2SJ410通常用于低电压开关电路、电源管理、LED驱动、信号控制、继电器驱动以及小型电子设备中的功率控制部分。由于其小巧的封装和良好的性能,也适用于便携式设备和电池供电系统。
2SJ103, 2SJ162, 2SJ449