HFA35HB120 时间：2025/12/26 21:16:45 阅读：14

HFA35HB120是一款由安森美（onsemi）生产的高电压、高速硅碳化物（SiC）肖特基二极管，专为高效率和高频率的电力电子应用设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具有卓越的热稳定性和低开关损耗特性，适用于需要高性能功率转换的系统。HFA35HB120的额定电压高达1200V，正向平均电流为35A，使其在大功率工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及不间断电源（UPS）等应用中表现出色。与传统的硅基二极管相比，碳化硅肖特基二极管在高温、高频和高电压环境下展现出更低的导通压降和几乎无反向恢复电荷的特性，从而显著提升系统效率并减少散热需求。该器件通常采用TO-247封装，具备良好的热传导性能和机械稳定性，便于集成到各种功率模块中。HFA35HB120符合RoHS标准，并具有可靠的长期运行能力，是现代高效能电力电子系统的理想选择之一。

参数

类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1200 V
　　最大直流阻断电压（VR）：1200 V
　　平均整流电流（IF(AV)）：35 A
　　正向压降（VF）：1.7 V（典型值，@ IF = 35A, TJ = 25°C）
　　非重复峰值浪涌电流（IFSM）：300 A（@ 8.3ms半正弦波）
　　反向漏电流（IR）：10 μA（典型值，@ VR = 1200V, TJ = 25°C）；可达 250 μA（@ TJ = 175°C）
　　结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
　　热阻结至壳（RθJC）：约 1.2 °C/W
　　封装类型：TO-247

特性

HFA35HB120的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料的物理特性，这种材料具有宽禁带（~3.2eV），相较于传统硅器件，能够承受更高的电场强度，从而实现更薄的漂移层结构，在保持高击穿电压的同时显著降低导通电阻和开关损耗。该器件作为肖特基势垒二极管，不存在少数载流子的储存效应，因此在关断过程中几乎没有反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和反向恢复电流（Irr），极大地减少了开关过程中的能量损耗，特别适合于高频开关电源拓扑如图腾柱PFC、LLC谐振转换器和三电平逆变器等。此外，由于碳化硅材料优异的热导率和高温稳定性，HFA35HB120可在高达175°C的结温下持续工作，且反向漏电流随温度上升的增长速率远低于硅基超快恢复二极管，保证了高温环境下的可靠性。其低正向压降不仅提高了转换效率，还降低了系统对散热器的要求，有助于缩小整体电源体积和成本。TO-247封装提供了优良的电气绝缘和热管理能力，支持直接安装在散热片上，适用于高功率密度设计。该器件还具备较强的抗浪涌能力，可承受高达300A的非重复浪涌电流，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　HFA35HB120在电磁兼容性（EMC）方面也表现出色，由于其快速而干净的关断特性，减少了高频噪声的产生，有助于简化EMI滤波电路的设计。同时，该器件无软恢复或振荡问题，避免了因反向恢复引起的电压尖峰和额外损耗，提升了系统的整体稳定性。这些特性使得HFA35HB120成为下一代高效能、高功率密度电源系统的首选元件之一。

应用

HFA35HB120广泛应用于各类高效率电力电子变换系统中。在工业电源领域，它常用于大功率开关模式电源（SMPS）、服务器电源和电信整流器中的输出整流级，利用其低损耗特性提高整机效率并满足80 PLUS钛金等严苛能效标准。在可再生能源系统中，该器件被广泛部署于光伏（PV）太阳能逆变器的升压级或旁路保护电路中，能够在高温户外环境下长期稳定运行，并有效提升系统MPPT效率。在电动汽车基础设施方面，HFA35HB120适用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的功率因数校正（PFC）电路，尤其是在图腾柱无桥PFC拓扑中，其零反向恢复特性至关重要，能够实现超高效率的能量转换。此外，在不间断电源（UPS）和工业电机驱动系统中，该二极管可用于制动单元或续流路径，提供快速响应和高可靠性。其他应用还包括感应加热设备、焊接电源、高压DC-DC转换器以及风力发电变流器等需要高电压、高频率和高效率的场合。由于其出色的热性能和紧凑的封装，HFA35HB120也适合用于追求小型化和轻量化的高端电源模块设计。