PJD45N06A 时间：2025/8/14 18:40:45 阅读：11

PJD45N06A是一款由PowerJect（力源半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度的开关应用设计，适用于电源转换、马达控制、DC-DC转换器以及负载开关等电路中。PJD45N06A采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，能够在较高的开关频率下工作，从而减少能量损耗并提升系统效率。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：45A
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤8.5mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Ptot）：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

PJD45N06A具有出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通损耗，提高电源系统的效率。
　　该器件采用先进的沟槽式工艺，确保在高温和高负载条件下依然保持稳定的工作性能。
　　其高电流容量（Id=45A）和良好的热稳定性，使其适用于大功率应用场合，如同步整流、DC-DC降压变换器、电池充电系统等。
　　PJD45N06A的封装形式为TO-263（D2PAK），具备良好的散热能力，适用于表面贴装工艺，适合自动化生产流程。
　　此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，提高了系统的可靠性和耐用性。

应用

PJD45N06A广泛应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流模块、马达驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制电路等。
　　其高效率和低损耗特性使其成为高性能电源管理方案的理想选择，尤其是在需要高效能、高稳定性的车载电子、服务器电源、通信设备和工业控制系统中表现出色。
　　此外，该MOSFET也可用于太阳能逆变器、UPS不间断电源、电动工具及电动汽车的功率控制模块中。