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SI8220DB-D-ISR 发布时间 时间:2025/8/21 20:36:22 查看 阅读:14

SI8220DB-D-ISR 是 Silicon Labs(芯科科技)推出的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片,广泛应用于电源转换和电机控制领域。该芯片采用Silicon Labs的专利数字隔离技术,提供高可靠性、高集成度和优异的抗干扰能力。SI8220DB-D-ISR 特别适用于需要高隔离电压和高速驱动能力的应用,如工业变频器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)等。

参数

类型:双通道隔离栅极驱动器
  供电电压范围:3.0V至20V(VDD1/VDD2)
  输出驱动电流:峰值电流最高可达4.0A(拉电流/灌电流)
  传播延迟:典型值为75ns
  上升/下降时间:典型值为12ns(20V驱动电压)
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  隔离耐压:5kVRMS(符合UL、VDE标准)
  安全认证:UL1577、EN60747-5-2、IEC60950-1
  封装类型:8引脚 SOIC(宽体)

特性

SI8220DB-D-ISR 采用Silicon Labs的专利数字隔离技术,提供高达5kVRMS的电气隔离能力,确保在高压环境中仍能稳定工作。该芯片的双通道结构可独立控制两个功率开关器件,适用于半桥或全桥拓扑结构。
  其高驱动能力(最高4A峰值电流)能够快速充放电MOSFET或IGBT的栅极电容,从而实现高效的开关操作。此外,芯片内置欠压锁定(UVLO)保护功能,防止在供电电压不足时误动作,提高系统可靠性。
  SI8220DB-D-ISR 具有非常低的传播延迟(典型值75ns)和出色的延迟匹配性能,确保两个通道之间的同步性,这对于需要精确时序控制的电源拓扑(如谐振变换器)至关重要。
  该芯片还具备良好的抗噪声能力,能够在高dv/dt环境下稳定工作,避免因噪声干扰导致误触发。同时,宽工作温度范围(-40°C至+125°C)使其适用于各种恶劣工业环境。
  在封装方面,SI8220DB-D-ISR 采用8引脚宽体SOIC封装,具有良好的PCB兼容性和热稳定性,适合表面贴装工艺,广泛应用于自动化生产流程。

应用

SI8220DB-D-ISR 主要应用于需要高隔离性能和高速驱动能力的功率电子系统,如工业变频器、伺服驱动器、电机控制、太阳能逆变器、UPS不间断电源、DC-DC转换器、PFC(功率因数校正)电路、高频电源模块等。
  由于其出色的隔离能力和驱动性能,该芯片也适用于电动汽车充电系统、储能系统以及智能电网设备中的功率开关控制。在家电领域,如变频空调、电磁炉等产品中也有广泛应用。
  此外,SI8220DB-D-ISR 可用于驱动MOSFET、IGBT或SiC/GaN功率器件,适用于多种拓扑结构,包括半桥、全桥、推挽式和同步整流等。其优异的性能使其成为中高功率应用中的理想选择。

替代型号

ADuM4221-1BRZ, NCP51530BDR2G, UCC21520DWPR, HCPL-J312, IR21531S

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SI8220DB-D-ISR参数

  • 现有数量4,277现货
  • 价格1 : ¥28.78000剪切带(CT)2,500 : ¥14.04884卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术容性耦合
  • 通道数1
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)30kV/μs(标准)
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)60ns,40ns
  • 脉宽失真(最大)-
  • 上升/下降时间(典型值)20ns,20ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低1.5A,2.5A
  • 电流 - 峰值输出2.5A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)2.5V(最大)
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)30 mA
  • 电压 -?输出供电14.8V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE