类型：双通道MOSFET驱动器
　　通道数：2
　　输出类型：图腾柱（推挽）
　　高端驱动电压（VS）：最高600V
　　低端驱动电压（VSS）：0V 至 20V
　　电源电压（VDD）：10V 至 20V
　　逻辑输入电压兼容性：3.3V / 5V CMOS/TTL
　　峰值源电流：2.0A（典型值）
　　峰值灌电流：2.0A（典型值）
　　上升时间（tr）：25ns（典型值）
　　下降时间（tf）：20ns（典型值）
　　传播延迟时间：80ns（典型值）
　　输入到输出传播延迟匹配：±5ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：SOIC-16N（带EPAD）

HFA200MD40的核心特性之一是其高集成度的高压电平移位架构，使其能够在高端浮动运行条件下稳定工作。通过集成自举二极管和优化的电平移位电路，该器件可在高达600V的母线电压下实现可靠的高端栅极驱动，无需外接复杂的高压驱动电路。这种设计极大地简化了电源拓扑结构，减少了外围元件数量，提高了系统可靠性。
　　另一个关键特性是其强大的输出驱动能力。HFA200MD40提供高达±2A的峰值输出电流，能够快速给功率MOSFET的栅极电容充电和放电，从而显著缩短开关过渡时间，减少开关损耗。这对于高频开关应用尤为重要，有助于提升电源转换效率并降低温升。
　　器件具备精确的传播延迟匹配特性，确保两个通道之间的延迟差异极小（通常在±5ns以内），这对于需要严格时序控制的桥式电路至关重要。它可以有效避免因通道响应不一致而导致的瞬态直通现象，增强系统安全性。
　　此外，HFA200MD40内置了互锁（Dead-Time）控制逻辑，即使在输入信号重叠的情况下也能强制插入一段安全死区时间，防止上下管同时导通。这一功能对于防止桥臂短路非常关键，尤其是在高功率密度设计中。
　　该器件还配备了完善的欠压锁定（UVLO）保护机制，分别针对高端和低端供电引脚进行监测。当VDD或VBUS电压低于设定阈值时，输出将被强制关闭，直到电源恢复正常。这保证了在启动或异常掉电情况下，功率器件不会因驱动不足而进入线性区导致过热损坏。

HFA200MD40广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子变换系统中。其主要应用场景包括离线式AC-DC开关电源，特别是采用PFC（功率因数校正）和LLC谐振转换器架构的产品，例如服务器电源、通信电源和工业电源模块。在这些系统中，HFA200MD40用于驱动PFC升压级的MOSFET或LLC半桥/全桥中的开关管。
　　在DC-DC转换器领域，尤其是在车载充电机（OBC）、光伏逆变器和UPS不间断电源中，HFA200MD40可用于驱动高压侧和低压侧的MOSFET，实现高效的能量转换。其高耐压能力和快速响应特性使其特别适合400V及以上母线电压的应用环境。
　　此外，在电机驱动系统中，如变频家电、工业伺服驱动器和电动工具控制器中，HFA200MD40可作为三相逆变桥的栅极驱动核心，确保三对上下管精确交替导通，实现平稳的电机调速与转矩控制。
　　由于其优异的抗噪性能和热稳定性，该器件也适用于电磁炉、感应加热设备和超声波发生器等高干扰环境下的功率控制系统。其SOIC-16EP封装便于自动化贴装，并支持良好的散热设计，适合紧凑型高功率密度产品的开发。

FAN73932
　　IRS21864
　　UCC27531