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HEF4750VDB 发布时间 时间:2025/4/28 12:04:26 查看 阅读:3

HEF4750VDB 是一种基于 CMOS 工艺的 12 位串行输入并行输出移位寄存器,适用于需要高密度逻辑和低功耗的应用场景。该器件内部集成了一个 12 位移位寄存器和一个 12 位存储寄存器。数据通过串行输入端逐位写入到移位寄存器中,并通过时钟信号控制完成数据的锁存与传输。其主要特点是低功耗、宽电压工作范围以及较快的数据传输速率。
  该芯片广泛用于 LED 显示驱动、数据缓冲、I/O 扩展以及其他需要串行到并行转换的场合。

参数

型号:HEF4750VDB
  工艺:CMOS
  工作电压:2V 至 6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装形式:DIP/SOIC
  引脚数:16
  输入电流:±1mA
  传播延迟时间:30ns(典型值)
  最大工作频率:20MHz

特性

HEF4750VDB 具有以下关键特性:
  1. 内置 12 位移位寄存器和存储寄存器,支持数据暂存功能。
  2. 高速数据传输能力,能够满足多种实时应用场景需求。
  3. 低静态电流设计,特别适合便携式设备及电池供电系统。
  4. 支持级联功能,多个 HEF4750VDB 可串联以扩展更多的输出通道。
  5. 提供独立的清零输入引脚 (CLEAR),可快速将所有寄存器内容复位为零。
  6. 引脚兼容性良好,便于与其他逻辑电路集成使用。

应用

HEF4750VDB 芯片在实际项目中的应用非常广泛,包括但不限于以下领域:
  1. LED 数码管或点阵屏的显示驱动控制。
  2. 多路 I/O 端口扩展,用于微控制器外围接口设计。
  3. 数据采集系统中的缓冲和数据传输处理。
  4. 各类工业控制设备中的状态指示灯管理。
  5. 音频信号处理中的数据串并转换。
  6. 自动化生产线上的传感器信号调理与处理模块。
  由于其良好的稳定性和较低的成本,在消费电子、工业自动化以及汽车电子等领域都具有极高的实用价值。

替代型号

HEF4750B, SN74HC4094, CD4094BE

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