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GA0805H392MXBBC31G 发布时间 时间:2025/5/28 9:35:34 查看 阅读:9

GA0805H392MXBBC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并降低功耗。
  该芯片具有出色的热性能和电气性能,能够在高频率和大电流条件下稳定工作,非常适合需要高效能和高可靠性的应用场合。

参数

型号:GA0805H392MXBBC31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:TO-252(DPAK)
  最大漏源电压(Vds):40V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):60A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):7nC
  连续工作温度范围:-55℃至175℃
  存储温度范围:-65℃至200℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关特性,支持高频操作,适合现代高效能电源设计。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 出色的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持良好性能。
  5. 小型化封装,节省PCB空间,便于紧凑型设计。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流和主开关。
  3. 电机驱动中的桥式电路或半桥配置。
  4. 电池保护和管理系统中的负载开关。
  5. 工业控制设备中的功率级管理。
  6. 汽车电子中的各类功率变换和驱动应用。

替代型号

IRF540N
  FDP5500
  AON6816

GA0805H392MXBBC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3900 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-