GA0805H392MXBBC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并降低功耗。
该芯片具有出色的热性能和电气性能,能够在高频率和大电流条件下稳定工作,非常适合需要高效能和高可靠性的应用场合。
型号:GA0805H392MXBBC31G
类型:N沟道增强型MOSFET
封装:TO-252(DPAK)
最大漏源电压(Vds):40V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):60A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):7nC
连续工作温度范围:-55℃至175℃
存储温度范围:-65℃至200℃
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关特性,支持高频操作,适合现代高效能电源设计。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 出色的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持良好性能。
5. 小型化封装,节省PCB空间,便于紧凑型设计。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流和主开关。
3. 电机驱动中的桥式电路或半桥配置。
4. 电池保护和管理系统中的负载开关。
5. 工业控制设备中的功率级管理。
6. 汽车电子中的各类功率变换和驱动应用。
IRF540N
FDP5500
AON6816