时间：2025/8/25 3:25:48
阅读：17
HDF15N50是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件由HSMC（Hefei Core Semiconductor Co., Ltd.）制造，具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制等高效率功率应用。HDF15N50采用TO-220或TO-262封装形式，便于散热并适应多种安装方式。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
漏极电流（ID）：15A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω @ VGS=10V
功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220/TO-262
HDF15N50具备优异的电气性能和热稳定性，其高耐压能力（500V）使其在高压电源系统中表现出色。该器件的低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。HDF15N50还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。此外，其强大的过载和热保护能力使其在恶劣工作环境下仍能保持稳定运行。该MOSFET采用先进的平面工艺制造，确保了器件的高可靠性和长寿命。在封装方面，TO-220和TO-262两种形式提供了良好的散热性能，适用于不同类型的电路板安装方式。HDF15N50的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V左右即可实现完全导通，适用于多种驱动电路设计。
在实际应用中，HDF15N50表现出良好的线性度和稳定性，能够承受较高的dv/dt和di/dt变化率，适用于高动态负载条件下的功率控制。其内部结构优化设计降低了寄生电容，有助于减少开关损耗，提高系统效率。此外，该器件在高温环境下仍能维持稳定的电气性能，适合用于高可靠性要求的工业和电力电子设备中。
HDF15N50广泛应用于各类功率电子设备中，主要包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、电机驱动器、UPS不间断电源、LED照明驱动电源以及工业自动化控制系统。此外，它也可用于高电压负载开关控制、电池管理系统（BMS）和电能质量调节设备等场合。
HDF15N50的替代型号包括IRF15N50、FDP15N50、STF15N50、2SK2141、2SK2545等。
