时间：2025/9/14 11:58:12
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BUK9M5R2-30EX 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用Trench技术制造，适用于高效率电源管理系统。该器件封装在LFPAK56（Power-SO8）封装中，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：150A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：5.2mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：6.2mΩ
功率耗散（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
BUK9M5R2-30EX 的核心特性包括极低的导通电阻，使其在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用先进的Trench MOSFET工艺，提供更高的电流密度和更低的开关损耗，适合高频开关应用。此外，其LFPAK56封装具有优异的散热性能和高可靠性，可有效应对高温环境下的工作挑战。
该MOSFET具有良好的栅极电荷（Qg）特性，支持快速开关操作，从而减少开关损耗并提升整体系统性能。它还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在过压或负载突变情况下的稳定性与耐用性。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。
在封装方面，LFPAK56（Power-SO8）是一种无引脚封装，具有更高的PCB焊接可靠性和更低的热阻，有助于提高装配良率和长期稳定性。这种封装形式也便于实现自动化生产和表面贴装工艺，广泛用于汽车电子、工业电源、服务器和通信设备等领域。
BUK9M5R2-30EX 广泛应用于多个高性能功率电子系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、电源管理模块以及各种高电流开关电路。由于其出色的导通性能和热管理能力，它也常用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、启停系统和电动助力转向系统。此外，该器件还适用于服务器电源、网络设备和工业自动化控制设备等高可靠性要求的场景。
SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, IPB013N04NG, BUK9Y15-60CY
