容量：16MB
　　数据宽度：16位
　　电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：0°C至70°C
　　最大存取时间：5.4ns
　　最大工作频率：166MHz
　　内存类型：DRAM
　　刷新周期：64ms

HD49747NT是一款高性能的DRAM存储芯片，具备较低的功耗和较高的存储密度，适用于各种计算和存储需求较高的系统。其TSOP封装形式不仅有助于减小芯片的体积，还能够提高信号完整性和抗干扰能力。
　　该芯片支持标准的DRAM操作模式，包括快速页模式（Fast Page Mode）和扩展数据输出（EDO）模式，从而提升了数据传输效率和访问速度。此外，HD49747NT的工作电压为3.3V，相较于早期的5V电压DRAM芯片，其功耗更低，适用于对功耗敏感的应用环境。
　　在可靠性方面，HD49747NT具有标准的64ms刷新周期，确保数据在断电前能够被正确保存，并减少数据丢失的风险。其工作温度范围为0°C至70°C，适合在常规工业环境下使用，确保了稳定性和耐用性。
　　此外，该芯片的高频率支持（最高可达166MHz）使其能够满足当时高性能计算系统的需求，广泛用于PC主板、图形加速卡和嵌入式设备中。

HD49747NT主要应用于早期的个人计算机和工作站内存模块中，例如SIMM（单列直插内存模块）和DIMM（双列直插内存模块）。此外，该芯片也常用于工业控制设备、图形加速器、网络设备和嵌入式系统的内存扩展。由于其良好的性能和稳定的封装技术，HD49747NT也被用于一些老式服务器和通信设备中。

IS48LC1616A-6A，CY62148G